[发明专利]一种超薄扇出型封装结构及其制作方法

说明书

本申请提供一种超薄扇出型封装结构及其制作方法。上述超薄扇出型封装结构包括：背面相互贴合的第一芯片和第二芯片，所述第一芯片背面的衬底经过减薄处理；塑封体，所述塑封体包封所述第一芯片和所述第二芯片；重布线结构，设置在所述塑封体靠近所述第一芯片的一侧，所述重布线结构分别与所述第一芯片和第二芯片电连接。本申请提供的超薄扇出型封装结构，通过将第一芯片、第二芯片背面相互贴合，并至少对第一芯片背面的衬底进行减薄处理，通过塑封体包封第一芯片和第二芯片，且与重布线结构连接，大大减小了封装结构整体的厚度，实现了高密度的超薄扇出型封装，有利于尺寸更小的电子产品的加工与生产。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种超薄扇出型封装结构及其制作方法。

背景技术

随着集成电路技术的快速发展，单位面积晶圆的芯片数量不断增大，芯片的特征尺寸逐渐小型化以满足摩尔定律的要求。虽然芯片特征尺寸减小，但是芯片内的电子元件数量却不断增加(包含电阻、电容、二极管、晶体管等)。为了实现芯片功能在产品终端的应用，在封装领域需要封装尺寸紧凑、有更多的输出终端I/O数量的封装技术。为满足这一要求，出现了一种扇出型晶圆级封装技术(Fanout WaferLevel Package，FOWLP)，这种封装形式是通过线转移实现在芯片特征尺寸面积外的多个终端的连接，具有封装结构更薄、成本更低的优点。此外，随着对于芯片封装密度更高、占用面积更小的需求越来越突出，通过多芯片堆叠并利用互联结构实现多层芯片的电信号互联，即三维封装结构也得到了广泛应用和发展。

中国专利文献(CN107910310A)公开了一种多芯片扇出封装结构及其封装方法，其包括带有A芯片金属凸块的A芯片、布线层、A芯片包覆膜和带有B芯片金属凸块的B芯片、再布线层、B芯片包覆膜，B芯片设置于A芯片垂直上方区域，B芯片外侧区域设置穿孔，填充金属料，A芯片与B芯片通过包覆穿孔填充金属料、布线层、再布线层完成信号互联。上述多芯片扇出封装结构主要是由上下堆叠的两个封装体形成的，封装结构的厚度至少为两层芯片和两层金属凸块以及两层布线层的总和，无法实现超薄扇出型封装的要求，此外，在制作上述封装结构时需要分别对A芯片和B芯片进行塑封，步骤繁琐，不利于工业大规模生产。

发明内容

因此，本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中扇出型封装结构厚度大，无法实现超薄扇出型封装要求的缺陷，从而提供一种超薄扇出型封装结构。

本发明要解决的另一个技术问题在于克服现有技术中的封装方法需要进行多次塑封，步骤繁琐，不利于工业大规模生产的缺陷，从而提供一种只需进行一次塑封的超薄扇出型封装结构的封装方法。

本发明第一方面提供一种超薄扇出型封装结构，包括：

背面相互贴合的第一芯片和第二芯片，所述第一芯片背面的衬底经过减薄处理；

塑封体，所述塑封体包封所述第一芯片和所述第二芯片；

重布线结构，设置在所述塑封体靠近所述第一芯片的一侧，所述重布线结构分别与所述第一芯片和第二芯片电连接。

进一步地，所述塑封体具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，

所述第一芯片的正面与所述塑封体的第一表面齐平，所述第二芯片的正面与所述塑封体的第二表面齐平。

进一步地，所述的超薄扇出型封装结构还包括：

第一导电互联结构，沿所述第一芯片和第二芯片的排布方向上贯穿所述塑封体，所述第一导电互联结构为导电柱或导电通孔；

第二导电互联结构，设置在所述塑封体靠近所述第二表面的一侧，所述第二导电互联结构分别与所述第二芯片的正面以及所述第一导电互联结构连接，

所述第二芯片依次通过所述第二导电互联结构、所述第一导电互联结构与所述重布线结构连接。