[发明专利]光耦合输出层材料及其制备方法、电致发光器件

说明书

本发明提供一种光耦合输出层材料及其制备方法、电致发光器件。本发明通过基于大平面N杂芳香基团连接作为核，合成光耦合输出层材料其包含氮元素的芳香族有机基团，能够呈平面状排列，具有非常高的n值和非常高的折射率。所述光耦合输出层材料的合成方法包括：反应液配制步骤；光耦合输出层材料合成步骤；萃取步骤；分离纯化步骤。电致发光器件的光耦合输出层所用材料为上述光耦合输出层材料。本发明能够减薄材料的厚度，达到节约材料降低成本的目的，能够实现棒状高n值CPL材料的合成以及在电致发光器件中的光耦合输出层应用，且具有高折射率，使电致发光器件取得了非常高的效率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种光耦合输出层材料及其制备方法、电致发光器件。

背景技术

有机电致发光二极管(organic light-emitting diode，OLED)以其主动发光不需要背光源、发光效率高、可视角度大、响应速度快、温度适应范围大、生产加工工艺相对简单、驱动电压低，能耗小，更轻更薄，柔性显示等优点以及巨大的应用前景，吸引了众多研究者的关注。

对于目前使用的顶发射器件结构，其微腔效应能够极大地提高器件效率，窄化光谱，拓宽色域。在器件结构中，光耦合输出层材料(Coupling Layer， CPL)所发挥的作用巨大，高折射率(N)的材料不仅能够提高器件效率，同时能够减薄材料的厚度，达到节约材料降低成本的目的。

但一般CPL材料的n值较低，在蒸镀制程中使用的厚度超过80nm，业界缺少相应的高n值CPL材料，并且即使能合成高n值CPL材料其合理的路线设计较长、合成效率低。

发明内容

本发明提供了一种光耦合输出层材料及其制备方法、电致发光器件，通过通过在均三嗪结构的基础上，通过基于大平面N杂芳香基团连接作为核，在一端连接其他吸收波段很窄的芳香基团进行排列，使得CPL材料能够呈平面状排列，这样CPL具有非常高的n值和非常高的折射率，同时能够减薄材料的厚度，达到节约材料降低成本的目的。其能够实现棒状高n值CPL材料的合成以及在电致发光器件中的光耦合输出层应用，且具有高折射率，使电致发光器件取得了非常高的效率。

为了实现以上目的，本发明提供了一种光耦合输出层材料，其化学结构通式如下：

其中R1为包含氮元素的芳香族有机基团。

进一步地，所述R1选自下述有机基团中的任意一种：

本发明还提供了一种光耦合输出层材料的制备方法，包括以下步骤：

反应液配置步骤，将电子受体、含有R1基团的电子给体、催化剂和强碱置于反应容器中，获得反应液；所述R1为包含氮元素的芳香族有机基团；所述电子受体的化学结构式如下：

其中R2表示为Cl、Br或I中的任一种；

光耦合输出层材料合成步骤，在100℃～140℃进行反应，获得一具有所述光耦合输出层材料的混合溶液；

萃取步骤，将所述混合溶液冷却至室温，萃取所述混合溶液中的所述光耦合输出层材料，得一混合物；

分离纯化步骤，将所述萃取步骤制得的所述混合物分离纯化得一白色粉末，获得所述光耦合输出层材料，其化学结构通式为其中R1为包含氮元素的芳香族有机基团。

进一步地，所述R1选自下述有机基团中的任意一种：