[发明专利]一种Ti/CoMoO4有效

专利信息
申请号: 201910805139.6 申请日: 2019-08-28
公开(公告)号: CN110482654B 公开(公告)日: 2022-03-08
发明(设计)人: 张云飞;牛军峰 申请(专利权)人: 东莞理工学院
主分类号: C02F1/461 分类号: C02F1/461;C02F101/30
代理公司: 北京锺维联合知识产权代理有限公司 11579 代理人: 罗银燕
地址: 523000 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 ti comoo base sub
【权利要求书】:

1.一种Ti/CoMoO4纳米阵列电极的制备方法,包括以下步骤:

S1、对多孔钛基材进行预处理:用砂纸对多孔钛基材表面进行打磨,放入丙酮中超声浸泡除油;然后放入10%的草酸溶液加热浸泡10分钟,去除表面氧化膜;用超纯水和乙醇超声清洗后烘干,备用;

S2、Ti/Co(OH)F的制备:将二价钴盐、作为可溶氟化物的NH4F、作为小分子模板剂的葡萄糖、肼以1∶2.0~3.5∶4~8∶5~10的摩尔比溶于水中,搅拌均匀;将混合溶液转移到反应釜中,将S1预处理的多孔钛,用磁力搅拌器搅拌20min后转入T1为160~190℃范围的烘箱中,反应3~7h;待冷却后将钛片取出用水洗涤,真空干燥2h;

S3、Ti/CoMoO4的制备:称取一定量的Na2MoO4·2H2O溶于水中,将S2制备的Ti/Co(OH)F与Na2MoO4溶液一起转移到反应釜中,用磁力搅拌器搅拌10min后密封放入干燥箱中,于一定温度T2反应一定时间;降到室温后将多孔钛取出真空干燥2h,即得Ti/CoMoO4纳米阵列电极。

2.根据权利要求1所述的Ti/CoMoO4纳米阵列电极的制备方法,所述S1中,所述多孔钛基材的孔径为0.5~20μm,选自钛板材、钛网或钛管中任意一种。

3.根据权利要求1所述的Ti/CoMoO4纳米阵列电极的制备方法,所述S2中,所述二价钴盐为CoSO4、CoCl2、Co(NO3)2.6H2O、CoBr2中的一种。

4.根据权利要求1所述的Ti/CoMoO4纳米阵列电极的制备方法,S3中,所述一定量的Na2MoO4·2H2O与S2中所述二价钴盐的摩尔比为1∶5~10,一定时间为5~10h。

5.根据权利要求1所述的Ti/CoMoO4纳米阵列电极的制备方法,S3中,所述一定温度T2为110~140℃,一定时间为5~10h。

6.一种如权利要求1至5中任一项所述的方法制备的Ti/CoMoO4纳米阵列电极。

7.一种如权利要求6所述的Ti/CoMoO4纳米阵列电极用于降解水中有机物的方法,其特征在于:以所述Ti/CoMoO4纳米阵列电极为阴极,以Pt片或金刚石电极为阳极,添加0.1MNa2SO4作支持电解质,采用恒电流模式,电流密度为2~30mA/cm2,极板间距为5~25mm,电化学降解水中的有机污染物。

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