[发明专利]一种封装方法、薄膜封装结构及显示装置

权利要求书

1.一种封装方法，其特征在于，包括：

提供一基板；所述基板上包括设置有待封装结构的待封装区域；

在所述基板上开设一闭合围绕所述待封装区域的凹槽；

形成覆盖所述待封装结构的第一无机封装层；所述第一无机封装层的边缘延伸至所述凹槽远离所述待封装结构的一侧，且所述第一无机封装层部分填充所述凹槽；

在所述凹槽内形成一闭合围绕所述待封装区域的临时阻隔墙；所述临时阻隔墙为相变材料制成；

在第一无机封装层上、所述临时阻隔墙围绕的区域内，所述形成有机封装层；

施加第一转化条件，使所述临时阻隔墙由固态变为液态并填平所述凹槽；

施加第二转化条件，使所述临时阻隔墙由液态变为固态；

在所述有机封装层上形成第二无机封装层。

2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述临时阻隔墙靠近所述待封装区域一侧的侧壁与所述凹槽靠近所述待封装区域一侧的侧壁之间存在一定间隙。

3.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述临时阻隔墙的总体积不超过所述凹槽的总容积的三分之二。

4.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述凹槽的宽度为0.1mm-1mm；所述凹槽的深度为5μm-10μm。

5.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述临时阻隔墙的高度为15μm-30μm。

6.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述相变材料为光致异构化材料或热相变材料。

7.根据权利要求6所述的封装方法，其特征在于，所述光致异构化材料为：偶氮苯化合物；

所述施加第一转化条件为：通过波长为350nm-400nm的紫外光照射所述临时阻隔墙；

所述施加第二转化条件为：通过波长为500nm-550nm的可见光照射所述临时阻隔墙。

8.根据权利要求6所述的封装方法，其特征在于，所述热相变材料为：树脂；所述树脂的熔点为40℃-90℃；

所述施加第一转化条件为：加热所述临时阻隔墙直至达到所述树脂的熔点；

所述施加第二转化条件为：冷却所述临时阻隔墙。

9.根据权利要求8所述的封装方法，其特征在于，所述临时阻隔墙内添加有导热颗粒。

10.根据权利要求9所述的封装方法，其特征在于，所述导热颗粒的直径为50nm-200nm；所述导热颗粒的总体积占所述临时阻隔墙的体积的30％-50％。

11.根据权利要求9所述的封装方法，其特征在于，所述临时阻隔墙内还添加有偶联剂和/或抗树脂氧化剂。

12.一种薄膜封装结构，其特征在于，所述薄膜封装结构通过如权利要求1至11任意一项所述的封装方法制成。

13.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求12所述的薄膜封装结构。