[发明专利]一种PH传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种PH传感器，其特征在于，包括：

衬底基板；

形成于所述衬底基板一侧的有机磷光材料层和遮光金属层；

形成于所述遮光金属层和所述有机磷光材料层背离所述衬底基板一侧的缓冲层；

形成于所述缓冲层背离所述衬底基板一侧的薄膜晶体管器件层，其中，与所述有机磷光材料层相对的部位的薄膜晶体管器件层为光敏薄膜晶体管器件层，所述衬底基板与所述光敏薄膜晶体管器件层相对的部位形成有多个气体进入通道；

依次形成于所述薄膜晶体管器件层背离衬底基板一侧的钝化层、平坦层、阳极、发光层、阴极和封装层；

设置于所述衬底基板背离所述有机磷光材料层和遮光金属层一侧、用于激发所述有机磷光材料层的光源；

所述薄膜晶体管器件层包括：形成于所述缓冲层背离所述衬底基板一侧的有源层，所述有源层包括与所述遮光金属层相对的氧化物半导体层和与所述有机磷光材料层相对的光敏材料层；

形成于所述有源层背离所述衬底基板一侧的栅绝缘层；

形成于所述栅绝缘层背离所述衬底基板一侧的栅极；

形成于所述栅极背离所述衬底基板一侧的层间介质层；

形成于所述有源层背离所述衬底基板一侧的源极和漏极。

2.根据权利要求1所述的PH传感器，其特征在于，所述有机磷光材料层包括有机高分子聚合物、有机金属聚合物、有机小分子大共轭体系分子或有机自由基分子。

3.根据权利要求1所述的PH传感器，其特征在于，所述有机磷光材料层的厚度为900-1100埃。

4.根据权利要求1所述的PH传感器，其特征在于，所述光源为发射紫外光的紫外光源。

5.根据权利要求1所述的PH传感器，其特征在于，每个所述衬底基板与所述光敏薄膜晶体管器件层相对的部位形成有多个贯穿所述衬底基板厚度方向的过孔以形成多个气体进入通道。

6.根据权利要求5所述的PH传感器，其特征在于，所述过孔的横截面为圆形，且横截面的直径为100-1000埃。

7.根据权利要求1所述的PH传感器，其特征在于，所述衬底基板为透明的衬底基板。

8.根据权利要求1所述的PH传感器，其特征在于，还包括设置于所述衬底基板与所述光源之间的光罩，所述光源发出的光经所述光罩照射到所述有机磷光材料层，所述光罩的侧面设有多个用于空气进入的开孔且所述光罩与所述衬底基板的气体进入通道相对的区域避开所述气体进入通道。

9.一种PH传感器的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成多个贯穿所述衬底基板的厚度方向的气体进入通道；

在衬底基板一侧形成有机磷光材料层和遮光金属层；

在所述有机磷光材料层和遮光金属层背离所述衬底基板的一侧形成缓冲层；

在所述缓冲层背离所述衬底基板一侧形成薄膜晶体管器件层，其中，在与所述有机磷光材料层相对的部位形成光敏薄膜晶体管器件层；

在所述薄膜晶体管器件层背离衬底基板的一侧依次形成钝化层、平坦层、阳极、发光层、阴极和封装层；

所述薄膜晶体管器件层包括：形成于所述缓冲层背离所述衬底基板一侧的有源层，所述有源层包括与所述遮光金属层相对的氧化物半导体层和与所述有机磷光材料层相对的光敏材料层；

形成于所述有源层背离所述衬底基板一侧的栅绝缘层；

形成于所述栅绝缘层背离所述衬底基板一侧的栅极；

形成于所述栅极背离所述衬底基板一侧的层间介质层；

形成于所述有源层背离所述衬底基板一侧的源极和漏极。