[发明专利]一种半导体器件模封方法及用于该模封方法的封装模具有效
申请号: | 201910802627.1 | 申请日: | 2019-08-28 |
公开(公告)号: | CN110544637B | 公开(公告)日: | 2022-07-05 |
发明(设计)人: | 鲁强龙;梁明;林英灿;石晓磊;何豆 | 申请(专利权)人: | 深圳赛意法微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;B29C45/26;B29C45/27;B29C45/14 |
代理公司: | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 杨艳 |
地址: | 518038 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体器件 方法 用于 封装 模具 | ||
1.一种半导体器件模封方法,用于半导体模封工艺中将芯片、引线、部分框架进行模封形成模封产品,其特征在于包括如下步骤:
模具装配步骤:将封装模具的上模和下模进行匹配安装,以将待模封的承载有芯片的引线框架设置在上模与下模形成的模封腔中;所述模封腔以所述引线框架为中心分成上模封腔和下模封腔,所述上模封腔根据模封树脂的流向在终点设置上模封腔尾部;还设置有无效模封部位,所述无效模封部位设置有外部无效腔,所述外部无效腔连通所述上模封腔尾部;所述模封腔设置有注胶道,所述注胶道连通上模封腔和下模封腔;所述注胶道设置注胶孔,所述注胶孔用于外接模封树脂材料;所述模封腔还设置有抽真空口,所述抽真空口连接所述上模封腔和所述下模封腔;所述上模上开设有第一模封槽,所述第一模封槽适于在合模时形成所述上模封腔,所述第一模封槽底部设置有高度小于第一模封槽深度的凸条,所述凸条将所述第一模封槽分割为第一导流槽与第二导流槽,所述注胶道与所述第一导流槽连通;
抽真空步骤:在注塑前通过抽真空机从抽真空口对封装模具的腔体抽真空,将所述腔体内的气体抽出,在所述腔体内形成近真空环境;所述腔体包括设置在所述封装模具内的注胶孔、上模封腔、下模封腔和无效模封部件内的外部无效腔;
材料融化步骤:通过加热将用于模封的树脂材料融化;
注塑固化步骤:通过注胶孔将所述树脂材料注入上模封腔和下模封腔,直至上模封腔和下模封腔均填充满树脂材料,然后固化,形成初坯模封体;
无效区域切除步骤:切除所述初坯模封体的外部无效模封部件,制成所述模封产品。
2.如权利要求1所述的一种半导体器件模封方法,其特征在于:所述外部无效腔的长度为所述上模封腔尾部长度的二分之一、四分之三或五分之四。
3.如权利要求1所述的一种半导体器件模封方法,其特征在于:所述外部无效腔呈柱状设置。
4.如权利要求1所述的一种半导体器件模封方法,其特征在于:在所述外部无效腔与所述上模封腔尾部之间设置有多条排气通道,所述排气通道适于将所述上模封腔尾部与所述外部无效腔连通。
5.如权利要求4所述的一种半导体器件模封方法,其特征在于:所述排气通道呈柱状设置。
6.如权利要求1所述的一种半导体器件模封方法,其特征在于:所述外部无效腔设置有多个。
7.一种用于权利要求1-6项中任一所述半导体器件模封方法的封装模具,包括上模与下模,其特征在于:所述上模适于在合模时与所述下模配合并围成注胶道、外部无效腔以及模封腔,所述模封腔适于放置安装有芯片的引线框架,所述模封腔以所述引线框架为中心分成上模封腔和下模封腔,所述上模封腔根据模封树脂的流向在终点设置上模封腔尾部,所述外部无效腔连通所述上模封腔尾部,所述注胶道连通上模封腔和下模封腔;所述上模上开设有第一模封槽,所述第一模封槽适于在合模时形成所述上模封腔,所述第一模封槽底部设置有高度小于第一模封槽深度的凸条,所述凸条将所述第一模封槽分割为第一导流槽与第二导流槽,所述注胶道与所述第一导流槽连通。
8.如权利要求7所述的一种用于半导体器件模封方法的封装模具,其特征在于:所述上模开设有第一凹槽,所述第一凹槽适于在合模时形成所述外部无效腔。
9.如权利要求8所述的一种用于半导体器件模封方法的封装模具,其特征在于:所述下模对应所述第一模封槽开设有第二模封槽,所述第二模封槽适于在合模时形成所述下模封腔,所述注胶道及所述第一凹槽与所述第一模封槽连通。
10.如权利要求9所述的一种用于半导体器件模封方法的封装模具,其特征在于:所述第一导流槽的宽度小于所述第二导流槽,所述上模开设有多个管道,所述第一凹槽通过管道分别与所述第一导流槽及所述第二导流槽连通,且与所述第一导流槽连接的管道数目多于与所述第二导流槽的管道数目。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳赛意法微电子有限公司,未经深圳赛意法微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910802627.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造