[发明专利]双极化5G毫米波天线结构及移动设备

权利要求书

1.一种双极化5G毫米波天线结构，其特征在于，包括金属空腔、第一微带馈电线和第二微带馈电线，所述金属空腔包括依次层叠设置的第一金属空腔和第二金属空腔，所述第一金属空腔远离第二金属空腔的一面上设有缝隙；所述缝隙包括第一缝隙、第二缝隙和第三缝隙，所述第二缝隙连通所述第一缝隙和第三缝隙；所述第一微带馈电线设置在所述第一金属空腔远离第二金属空腔的一面上，且所述第一微带馈电线的一端设置在所述第二缝隙的上方；所述第二微带馈电线设置在所述第二金属空腔上。

2.根据权利要求1所述的双极化5G毫米波天线结构，其特征在于，所述第一微带馈电线包括第一微带线和第二微带线，所述第一微带线由多段宽度递增或递减的阻抗变换微带线组成，所述第一微带线宽度小的一端连接所述第二微带线的一端，所述第二微带线的另一端为阻抗匹配微带线；所述第二微带线的另一端设置在所述第二缝隙的上方；

所述第二微带馈电线包括第三微带线和馈电通孔，所述第三微带线由多段宽度递增或递减的阻抗变换微带线组成，所述第三微带线设置在所述第二金属空腔远离第一金属空腔的一面上，所述第三微带线宽度小的一端连接所述馈电通孔的一端，所述馈电通孔的另一端穿过所述第二金属空腔。

3.根据权利要求2所述的双极化5G毫米波天线结构，其特征在于，所述金属空腔包括依次层叠设置的第一金属层、多层的第一LTCC介质材料层、第二金属层、多层的第二LTCC介质材料层和第三金属层；所述缝隙设置在所述第一金属层上；

每一层的第一LTCC介质材料层分别设有数量一致且相对位置一致的第一过孔，且处于同一第一LTCC介质材料层的第一过孔电连接，相邻两层的第一LTCC介质材料层的第一过孔电连接；

每一层的第二LTCC介质材料层上分别设有数量一致且相对位置一致的第二过孔，且处于同一第二LTCC介质材料层的第二过孔电连接，相邻两层的第二LTCC介质材料层的第二过孔电连接。

4.根据权利要求3所述的双极化5G毫米波天线结构，其特征在于，还包括第三LTCC介质材料层和第四LTCC介质材料层；所述第三LTCC介质材料层设置在所述第一金属层远离第一LTCC介质材料层的一面上，所述第一微带馈电线设置在所述第三LTCC介质材料层远离第一金属层的一面上；所述第四LTCC介质材料层设置在所述第三金属层远离第二LTCC介质材料层的一面上，所述第三微带线设置在所述第四LTCC介质材料层远离第三金属层的一面上；所述馈电通孔依次穿过所述第四LTCC介质材料层、第三金属层和第二LTCC介质材料层，并靠近所述第二金属层或与所述第二金属层电连接。

5.根据权利要求3所述的双极化5G毫米波天线结构，其特征在于，处于同一第一LTCC介质材料层的第一过孔呈U形设置；处于同一第二LTCC介质材料层的第二过孔呈U形设置。

6.根据权利要求1所述的双极化5G毫米波天线结构，其特征在于，所述第一金属空腔的长度为5mm，宽度小于或等于天线工作波长的二分之一；所述第二金属空腔的长度为5.74mm，宽度小于或等于天线工作波长的二分之一。

7.根据权利要求1所述的双极化5G毫米波天线结构，其特征在于，所述第一缝隙呈圆形或方形；所述第二缝隙呈长条形，且宽度小于所述第一缝隙和第三缝隙；所述第三缝隙延伸至第一金属空腔的所述一面的边缘，且越靠近边缘，宽度越大。

8.根据权利要求7所述的双极化5G毫米波天线结构，其特征在于，所述第一缝隙的边长或半径为0.4mm；所述第二缝隙的长度为0.6mm，宽度为0.08mm；所述第三缝隙的长度为2.3mm，最大宽度为4.8mm。

9.一种移动设备，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的双极化5G毫米波天线结构。