[发明专利]布线结构及其制造方法在审
| 申请号: | 201910802387.5 | 申请日: | 2019-08-28 | 
| 公开(公告)号: | CN112151487A | 公开(公告)日: | 2020-12-29 | 
| 发明(设计)人: | 黃文宏 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 | 
| 主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485;H01L23/498;H01L21/60 | 
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 | 
| 地址: | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码: | 台湾;71 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 布线 结构 及其 制造 方法 | ||
一种布线结构包含第一单元、第二单元、第一绝缘壁、第一重分布层和第三单元。所述第一单元安置在第一高程处并且具有第一电路层和围绕所述第一电路层的第一介电层。所述第二单元安置在所述第一高程处并且具有第二电路层和围绕所述第二电路层的第二介电层。所述第一绝缘壁安置在所述第一单元与所述第二单元之间。所述第一重分布层安置在所述第一单元和所述第二单元上,并且电连接在所述第一单元与所述第二单元之间。所述第三单元安置在所述第一重分布层上并且具有第三电路层和围绕所述第三电路层的第三介电层。
技术领域
本发明涉及布线结构,并且更确切地说,涉及解离布线结构及其制造方法。
背景技术
随着技术的进步,半导体芯片集成了增长数量的电子组件以增强性能。相应地,半导体芯片配备有相对更多的输入/输出(I/O)连接件。
用于封装或组装半导体芯片的衬底可能需要按比例放大直到实现半导体芯片的增大数量的I/O连接件。然而,随着封装衬底的大小的增长,半导体芯片(装置)封装的弯曲可以是相对严重的,这可能不利地影响半导体装置封装的产率。
发明内容
在一些实施例中,本发明公开了一种布线结构。布线结构包含第一单元、第二单元、第一绝缘壁、第一重分布层和第三单元。第一单元安置在第一高程处并且具有第一电路层和围绕第一电路层的第一介电层。第二单元安置在第一高程处并且具有第二电路层和围绕第二电路层的第二介电层。第一绝缘壁安置在第一单元与第二单元之间。第一重分布层安置在第一单元和第二单元上。第一重分布层电连接在第一单元与第二单元之间。第三单元安置在第一重分布层上并且具有第三电路层和围绕第三电路层的第三介电层。
在一些实施例中,本发明公开了一种制造布线结构的方法。所述方法包含:提供多个第一单元;囊封多个第一单元以形成第一单元的层;在第一单元的层上形成第一重分布层;提供多个第二单元;囊封多个第二单元以形成第二单元的层;以及将第二单元的层堆叠到第一重分布层上。
在一些实施例中,本发明公开了一种多层衬底。多层包含第一层、第一重分布层和第二层。第一层具有嵌入在第一绝缘材料中的多个第一单元。第一重分布层安置在第一层上。第二层具有嵌入在第二绝缘材料中的多个第二单元,并且安置在第一重分布层上。
在一些实施例中,本发明公开了一种布线结构。布线结构包含第一子单元、第二子单元、第一绝缘壁和第三重分布层。第一子单元安置在第一高程处并且具有第一电路层、围绕第一电路层的第一介电层,以及安置在第一电路层上的第一重分布层。第二子单元安置在第一高程处并且具有第二电路层、围绕第二电路层的第二介电层,以及安置在第二电路层上的第二重分布层。第一绝缘壁安置在第一子单元与第二子单元之间。第三重分布层安置在第一子单元和第二子单元上,并且电连接在第一子单元与第二子单元之间。
在一些实施例中,本发明公开了一种制造布线结构的方法。方法包含提供多个第一子单元、囊封多个第一子单元以形成多个第一单元,以及囊封多个第一单元以形成第一单元的层。
在一些实施例中,本发明公开了一种衬底。衬底包含嵌入在第一绝缘材料中的多个单元,并且多个单元中的至少一个包括嵌入在第二绝缘材料中的多个子单元。
附图说明
当结合附图阅读时,从以下详细描述容易理解本发明的一些实施例的方面。应注意各种结构可能未按比例绘制,且各种结构的尺寸可出于论述的清楚起见任意增大或减小。
图1说明根据本发明的一些实施例的布线结构的面板的透视图。
图2说明如图1中所示的面板1的层10的布局。
图3说明根据本发明的一些实施例的布线结构。
图3A、图3B、图3C、图3D和图3E说明根据本发明的一些实施例的制造布线结构的方法。
图4说明根据本发明的一些实施例的另一布线结构的截面图。
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