[发明专利]半导体装置、制造半导体装置的方法及微电子器件封装

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

基板(1)，其由半导体材料制成并具有相反的第一表面(11)和第二表面(12)，其中，用于布置有源器件(2)的有源器件区域(13)位于基板(1)的第一表面(11)处；

导电过孔(3)，其从第一表面(11)向第二表面(12)延伸并至少部分地穿过基板(1)，导电过孔(3)与有源器件区域(13)分开，其中，导电过孔(3)中填充有导电材料，

其中，

至少部分地围绕导电过孔(3)的第一沟槽(4)和第二沟槽(5)彼此间隔开地设置在第一表面(11)处，使得在第一表面(11)上从导电过孔(3)的中心向有源器件区域(13)延伸的至少一条直线依次经过第一沟槽(4)和第二沟槽(5)，其中，与半导体材料相比刚性更大的材料填充在第一沟槽(4)和第二沟槽(5)中。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

填充在第一沟槽(4)和第二沟槽(5)中的材料为电介质材料。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

在第一表面(11)上从导电过孔(3)的中心沿向有源器件区域(13)延伸的任意方向均经过第一沟槽(4)和第二沟槽(5)。

4.如权利要求1-3中任一项所述的半导体装置，其中，

第一沟槽(4)和/或第二沟槽(5)形成绕导电过孔(3)闭合的形状。

5.如权利要求1-4中任一项所述的半导体装置，其中，

第一沟槽(4)至少部分地邻接导电过孔(3)；和/或

第二沟槽(5)至少部分地邻接有源器件区域(13)。

6.如权利要求1-5中任一项所述的半导体装置，其中，

第一沟槽(4)和第二沟槽(5)的与第一表面(11)共面的截面形状的形心可彼此重叠。

7.如权利要求1-6中任一项所述的半导体装置，其中，

第一沟槽(4)和/或第二沟槽(5)的与第一表面(11)共面的截面形状的形心可与导电过孔(3)的与第一表面(11)共面的截面形状的形心重叠。

8.如权利要求1-7中任一项所述的半导体装置，其中，

基板(1)由硅制成；和/或

第一沟槽(4)和/或第二沟槽(5)中填充的材料为氧化物。

9.一种制造如权利要求1-8中任一项所述的半导体装置的方法，其中，所述方法包括以下步骤：

在第一表面(11)处设置至少部分地围绕导电过孔(3)的彼此间隔开的第一沟槽(4)和第二沟槽(5)，使得在第一表面(11)上从导电过孔(3)的中心向有源器件区域(13)延伸的至少一条直线依次经过第一沟槽(4)和第二沟槽(5)；以及

将与构成基板(1)的半导体材料相比刚性更大的材料填充在第一沟槽(4)和第二沟槽(5)中。

10.如权利要求9所述的方法，其中，

第一沟槽(4)和第二沟槽(5)通过同一工艺步骤形成；和/或

与半导体材料相比刚性更大的材料通过同一工艺步骤填充在第一沟槽(4)和第二沟槽(5)中。

11.一种微电子器件封装，其包括如权利要求1-8中任一项所述的半导体装置。