[发明专利]图像传感器有效
申请号: | 201910800437.6 | 申请日: | 2019-08-28 |
公开(公告)号: | CN110875341B | 公开(公告)日: | 2023-08-08 |
发明(设计)人: | 韩大韩;金善贤;金汉锡;宋充镐;李京姬;郑熙根 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 弋桂芬 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,包括:
半导体基板,具有第一表面和第二表面;
像素元件隔离膜,延伸穿过在所述半导体基板的所述第一表面和所述第二表面之间的所述半导体基板的内部,并在所述半导体基板中限定多个有源像素;和
虚设元件隔离膜,延伸穿过在所述半导体基板的所述第一表面和所述第二表面之间的所述半导体基板的所述内部,并且在平面图中沿所述有源像素的至少一侧延伸,且在所述半导体基板中限定多个虚设像素,
其中,所述像素元件隔离膜具有与所述第一表面基本共面的第一端,所述像素元件隔离膜的所述第一端在平行于所述第一表面的第一方向上具有第一宽度,所述虚设元件隔离膜具有与所述第一表面基本共面的第一端,所述虚设元件隔离膜的所述第一端具有比所述像素元件隔离膜的所述第一宽度大的第二宽度。
2.如权利要求1所述的图像传感器,其中
所述像素元件隔离膜在从所述第一表面延伸穿过所述半导体基板的所述内部到所述第二表面的像素沟槽中,
所述虚设元件隔离膜在从所述第一表面延伸穿过所述半导体基板的所述内部到所述第二表面的虚设沟槽中,和
在平面图中,所述虚设元件隔离膜围绕所述像素元件隔离膜。
3.如权利要求1所述的图像传感器,还包括:
在所述半导体基板的所述第一表面上的内部布线结构;和
在所述半导体基板的所述第一表面上并覆盖所述内部布线结构的层间绝缘膜,
其中所述虚设元件隔离膜具有与所述第二表面基本上共面的第二端,所述虚设元件隔离膜的所述第二端在所述第一方向上具有小于所述第二宽度的宽度。
4.如权利要求1所述的图像传感器,其中
所述虚设元件隔离膜的在所述半导体基板的所述第二表面上暴露的顶表面比所述像素元件隔离膜的在所述半导体基板的所述第二表面上暴露的顶表面远离半导体基板的所述第一表面。
5.如权利要求1所述的图像传感器,其中
所述半导体基板还包括焊盘区,该焊盘区被配置为在平面图中围绕所述虚设元件隔离膜,和
在所述焊盘区中所述半导体基板的所述第二表面比所述像素元件隔离膜的顶表面靠近所述半导体基板的所述第一表面。
6.如权利要求1所述的图像传感器,其中
所述像素元件隔离膜在垂直于所述半导体基板的所述第一表面的第三方向上具有第一高度,和
所述虚设元件隔离膜在所述第三方向上具有第二高度,所述第二高度大于所述第一高度。
7.如权利要求1所述的图像传感器,其中
所述虚设元件隔离膜包括在平行于所述第一表面并垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的多条虚设线,
所述多条虚设线中的至少一条虚设线在与所述半导体基板的所述第一表面相同的水平处具有在所述第一方向上的所述第二宽度,和
所述多条虚设线中的至少另一条虚设线在与所述半导体基板的所述第一表面相同的水平处具有在所述第一方向上的第三宽度,所述第三宽度大于所述第二宽度。
8.如权利要求7所述的图像传感器,其中
所述多条虚设线中的每条给定的虚设线具有和所述给定的虚设线与所述有源像素相距的距离成比例的宽度。
9.如权利要求1所述的图像传感器,其中
所述虚设元件隔离膜包括
多条窄宽度虚设线,在平行于所述第一表面并垂直于所述第一方向的第二方向上延伸并在与所述半导体基板的所述第一表面相同的水平处具有在所述第一方向上的所述第二宽度,和
多条宽宽度虚设线,在所述第二方向上延伸并在与所述半导体基板的所述第一表面相同的水平处具有在所述第一方向上的第三宽度,所述第三宽度大于所述第二宽度,
其中,所述窄宽度虚设线和所述宽宽度虚设线沿所述第一方向交替地布置。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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