[发明专利]三维铁电NOR型存储器

说明书

实施例包括三维(3D)存储器，其包括NOR逻辑门，其中，NOR逻辑门包括基于铁电的晶体管。本文解决了其他实施例。

技术领域

本发明的实施例属于半导体器件领域，具体而言，属于非平面晶体管。

背景技术

三维(3D)NAND存储器将存储器单元堆叠成多层以创建垂直布局。每层存储器可以基于例如多级单元架构。在每个存储器层内，与用于存储器的传统平面布局相反，单元彼此间隔更远的距离。这种相对较大的间隔可以导致良好的功率效率和低电干扰，但是由于3D堆叠仍然实现了更大的存储密度。

附图说明

根据所附权利要求，一个或多个示例性实施例的以下详细描述以及相应的附图，本发明的实施例的特征和优点将变得显而易见。在认为合适的情况下，在附图中重复使用附图标记以指示相应或类似的元件。

图1A包括基于NOR门的垂直存储器的示意图。图1B包括图1A的实施例的一部分的俯视图。图1C包括基于NOR门的垂直存储器的实施例的一部分的电路图。

图2包括基于NOR门的垂直存储器的实施例的图像的示意图。

图3包括用于形成基于NOR门的垂直存储器的过程流程的实施例。

图4、5、6、7包括包含实施例的系统。

具体实施方式

现在将参考附图，其中可以为相似的结构提供相似后缀的附图标记。为了更清楚地示出各种实施例的结构，本文包括的附图是半导体/电路结构的图解表示。因此，制造的集成电路结构的实际外观，例如在显微照片中，可能看起来不同，但仍然包含所示实施例的要求保护的结构(例如，在实际制造的器件中，壁可能不是彼此完全正交)。此外，附图可以仅示出对于理解所示实施例有用的结构。可能未包括本领域中已知的附加结构以保持附图的清楚。例如，不一定示出半导体器件的每个层(例如，阻挡层、种子层、蚀刻停止层)。“实施例”、“各种实施例”等指示如此描述的实施例可以包括特定特征、结构或特性，但并非每个实施例都必须包括该特定特征、结构或特性。一些实施例可以具有针对其他实施例描述的特征中的一些、全部或不具有这些特征。“第一”、“第二”、“第三”等描述了共同的对象并且指示了被引用的相似对象的不同实例。这样的形容词并不暗示如此描述的对象必须在时间上、空间上、在排序中，或以任何其他方式处于给定的顺序中。“连接”可以指示元件彼此直接物理或电接触，“耦合”可以指示元件彼此协作或相互作用，但是它们可以或可以不直接物理或电接触。

如上所述，3D NAND存储器提供优于传统平面NAND存储器的许多优点。具体而言，申请人已经确定，与3D存储器选项相比，平面晶体管(例如，存储器中的存取晶体管)的密度低，即使平面工艺使用高级光刻技术(例如，间距四倍或极紫外光刻(EUV))。关于3D NAND存储器，NAND布置包括晶体管的串联布置，并且由于存储器单元的垂直堆叠而具有高存储器单元密度。然而，即使3D NAND相对于平面存储器单元具有密度改进，但申请人确定3D NAND的读取电流必须通过串联的多个晶体管以读取单个位。结果，读取电流可能较低，因此读取性能可能较低。此外，申请人确定写操作需要在位单元两端施加电压。部分由于存储器单元之间的串行连接，难以写入叠层中的单个位单元。这样的写操作可能要求在写操作完成之前将多个位单元一起复位。这降低了存储器阵列的随机存取性能。