[发明专利]存储器系统及其操作方法

说明书

存储器系统及其操作方法。公开了一种存储器系统以及操作该存储器系统的方法。该存储器系统包括半导体存储器装置，该半导体存储器装置被配置为通过将不同的读电压施加到与多个逻辑页当中的所选逻辑页对应的所选字线来读取存储在所选逻辑页中的数据。该存储器系统还包括控制器，该控制器被配置为每当各个读电压被施加到所选字线时执行检测并纠正数据的错误的操作。

技术领域

本公开总体上涉及存储器系统，更具体地，涉及一种用于将数据处理到存储器装置中的存储器系统以及该存储器系统的操作方法。

背景技术

诸如计算机、数字相机或智能电话的电子装置使用存储器系统来处理数据。存储器系统可包括用于存储数据的存储器装置以及用于控制存储器装置的控制器。存储器系统可通过纠错码计算来检测并纠正从存储器装置读取的数据中的错误。

存储器装置可被分类为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。非易失性存储器装置是即使当供电中断时也保持所存储的数据的存储器装置。

非易失性存储器装置可包括只读存储器(ROM)、掩模ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变RAM(PRAM)、磁RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。

非易失性存储器装置可包括用于存储多比特数据的多级单元。存储在各个多比特单元中的比特形成多个逻辑页。通常，对多级单元的纠错以逻辑页为单位执行。尽管向逻辑页提供相同的纠错能力，但不同的错误发生概率可与逻辑页关联。因此，纠错效率降低。

发明内容

根据本公开的一方面，一种存储器系统包括半导体存储器装置和控制器。半导体存储器装置被配置为通过将不同的读电压施加到与多个逻辑页当中的所选逻辑页对应的所选字线来读取存储在所选逻辑页中的数据。控制器被配置为每当各个读电压被施加到所选字线时，执行检测并纠正数据的错误的操作。

根据本公开的另一方面，一种操作存储器系统的方法包括选择多条字线中的一条并使用多个读电压对所选字线执行读操作。该方法还包括针对各个读操作执行检测并纠正存储在连接到所选字线的存储器单元中的数据的错误的操作。

根据本公开的另一方面，一种操作存储器系统的方法包括选择连接到在多个逻辑页中存储有数据的存储器单元的字线。该方法还包括选择多个逻辑页中的一个并使用多个读电压对所选逻辑页执行读操作。该方法还包括针对对所选逻辑页的各个读操作检测并纠正存储在存储器单元中的数据的错误。

附图说明

以下参照附图描述示例实施方式；然而，其可按照不同的形式来具体实现，不应被解释为限于本文所阐述的实施方式。相反，提供所呈现的实施方式以使得本领域技术人员将能够实现本公开。

在附图中，为了例示清晰，尺寸可能被夸大。将理解，当元件被称为在两个元件“之间”时，其可以是这两个元件之间的仅有元件，或者也可存在一个或更多个中间元件。贯穿附图，相似的标号表示相似的元件。

图1是示出根据本公开的实施方式的数据处理系统的框图。

图2是示出根据本公开的实施方式的存储器系统的框图。

图3是示出图2所示的半导体存储器装置的框图。

图4A和图4B是示出图3所示的存储器单元阵列的图。

图5A和图5B是示出基于页的读方法的图。

图6和图7是示出根据本公开的实施方式的存储器系统的操作方法的流程图。

图8A至图8C是示出图4A所示的单元串的各种结构的截面图。

图9和图10是示出根据本公开的各种实施方式的存储器系统的框图。