[发明专利]铸造单晶用籽晶的回收方法

权利要求书

1.一种铸造单晶用籽晶的回收方法，其特征在于，包括如下步骤：

将籽晶拼接铺设于坩埚底部，形成籽晶层；

在所述籽晶层上方设置硅料，控制所述坩埚的温度，使所述籽晶不完全熔化，以及使熔融状态的硅料在所述籽晶层上沿着所述籽晶的晶向结构进行生长，得到铸造单晶硅锭；

取出所述铸造单晶硅锭，并对所述铸造单晶硅锭进行开方处理，得到多个方锭；

在各所述方锭底部的籽晶位置处，沿垂直于生长方向对所述方锭进行切割，得到回用籽晶；

将所述回用籽晶经过处理后紧密铺设于所述坩埚底部，作为用于生长所述铸造单晶硅锭的所述籽晶层。

2.根据权利要求1所述的铸造单晶用籽晶的回收方法，其特征在于，所述方锭底部的切割层数为1层～5层。

3.根据权利要求1所述的铸造单晶用籽晶的回收方法，其特征在于，对所述方锭采用线锯或带锯进行切割。

4.根据权利要求1所述的铸造单晶用籽晶的回收方法，其特征在于，所述回用籽晶的厚度为20mm～30mm。

5.根据权利要求1至4任一项所述的铸造单晶用籽晶的回收方法，其特征在于，所述回收方法还包括如下步骤：

表面处理，将所述回用籽晶铺设于所述坩埚底部之前，对所述回用籽晶进行表面处理。

6.根据权利要求5所述的铸造单晶用籽晶的回收方法，其特征在于，所述表面处理步骤包括：

机械处理步骤，对所述回用籽晶进行机械抛光，以保证所述回用籽晶的尺寸精度。

7.根据权利要求6所述的铸造单晶用籽晶的回收方法，其特征在于，所述表面处理步骤还包括：

腐蚀处理步骤，对所述回用籽晶进行化学抛光，以去除所述回用籽晶表面污损。

8.根据权利要求1至4任一项所述的铸造单晶用籽晶的回收方法，其特征在于，所述回收方法还包括如下步骤：

检测步骤，将所述回用籽晶铺设于所述坩埚底部之前，对经过表面处理的所述回用籽晶进行检验。

9.根据权利要求8所述的铸造单晶用籽晶的回收方法，其特征在于，所述检测步骤包括：

质量检测步骤，检测所述回用籽晶的表面是否存在缺陷，以及检测所述回用籽晶的表面或者内部是否存在晶花；

若否，则表明所述回用籽晶的质量合格。

10.根据权利要求8所述的铸造单晶用籽晶的回收方法，其特征在于，所述检测步骤包括：

尺寸检测步骤，检测所述回用籽晶的实际边宽尺寸以及实际厚度尺寸；

若所述实际边宽尺寸位于预设边宽尺寸的范围内，所述实际厚度尺寸位于预设厚度尺寸范围内，则表明所述回用籽晶的尺寸合格。