[发明专利]一种用于MCU的低温漂低压检测电路有效
| 申请号： | 201910797373.9 | 申请日： | 2019-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN110501556B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 冯旭;常成星;丁晓兵;胡锦通;黄鹏 | 申请（专利权）人： | 上海芯旺微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/165 | 分类号： | G01R19/165 |
| 代理公司： | 上海唯智赢专利代理事务所(普通合伙) 31293 | 代理人： | 王圣 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区龙东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 mcu 低温 低压 检测 电路 | ||
1.一种用于MCU的低温漂低压检测电路，其特征在于：包括一个正温度系数电阻R0、一个负温度系数的电阻R1、一个MOS管M0、一个比较器COMP；其中正温度系数电阻R0的一端连接供电电压VDD，另一端连接负温度系数电阻的一端和比较器的正输入端，向比较器的正输入端输出分压V1，负温度系数电阻的另一端接地；供电电压经过MOS管偏置，由MOS管向比较器的负输入端输出一个带负温度系数的电压VGS，作为参考电压VREF，通过调整参考电压的负温度系数和分压的负温度系数达到相等，使比较器输出零温漂的低电压检测电压，用于确保MCU的电压在低于低电压检测电压时可靠复位。
2.如权利要求1所述的用于MCU的低温漂低压检测电路，其特征在于：所述的MOS管使用N沟道MOS晶体管或P沟道MOS晶体管，当使用N沟道MOS晶体管时，其源极接地、栅极和漏级短接并与偏置电流及比较器的负输入端连接；当使用P沟道MOS晶体管时，其栅极和漏极都接地，源极接偏置电流和比较器的负输入端连接。
3.如权利要求1所述的用于MCU的低温漂低压检测电路，其特征在于：所述的分压V1的负温度系数通过改变正温度系数电阻R0和负温度系数的电阻R1的比值来调整。
4.如权利要求1所述的用于MCU的低温漂低压检测电路，其特征在于：所述的参考电压VREF的负温度系数通过调整输入MOS晶体管的偏置电流Id大小，或MOS晶体管的宽长比W/L来调整。
5.如权利要求4所述的用于MCU的低温漂低压检测电路，其特征在于：所述的偏置电流Id从比较器的偏置电路中抽取产生。
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