[发明专利]一种量子点太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910797143.2 申请日: 2019-08-27
公开(公告)号: CN110571059B 公开(公告)日: 2021-05-04
发明(设计)人: 卫会云;仇鹏;郑新和;彭铭曾;王茜茜;刘三姐;何荧峰;宋祎萌 申请(专利权)人: 北京科技大学
主分类号: H01G9/20 分类号: H01G9/20;H01G9/042;H01G9/004
代理公司: 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 代理人: 皋吉甫
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 量子 太阳能电池 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种量子点太阳能电池,其特征在于,所述量子点太阳能电池由以下功能层组成:

依次设置的透明导电衬底、导电层、氮化物薄膜致密层、光阳极和对电极层;

所述光阳极包括电子传输层、在所述电子传输层表面依次设置的量子点吸光层和氮化物修饰层、以及填充在所述电子传输层的孔隙中的电解液;

所述氮化物薄膜致密层为InN薄膜;

所述氮化物修饰层的厚度为1-10nm;

所述氮化物修饰层是通过原子层沉积法在量子点吸光层表面沉积宽禁带氮化物半导体材料得到的;

所述宽禁带氮化物半导体材料为GaN、InGaN、AlGaN和AlInGaN中的一种以上。

2.根据权利要求1所述的一种量子点太阳能电池,其特征在于,所述电子传输层包括透明层和散射层;

所述透明层设置在所述导电层上;

所述散射层设置在透明层上。

3.根据权利要求1所述的一种量子点太阳能电池,其特征在于,所述光阳极还包括表面修饰层,所述表面修饰层设置在所述量子点吸光层和所述氮化物修饰层之间。

4.根据权利要求3所述的一种量子点太阳能电池,其特征在于,所述表面修饰层材料为ZnS、Al2O3、MgO、ZrO2、Nb2O5、HfO2、Y2O3、Ta2O5和SiO2中的一种以上。

5.一种制造如权利要求1~4任一项所述的量子点太阳能电池的方法,其特征在于,所述方法包括:

步骤1,在所述透明导电衬底一面上设置导电层;

步骤2,在所述导电层上设置电子传输层;

步骤3,在所述电子传输层表面吸附量子点吸光层,再设置所述氮化物修饰层,最后填充电解液,得到所述光阳极;

步骤4,在步骤3得到的光阳极上设置对电极层,得到所述量子点太阳能电池。

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述步骤2中在所述导电层上设置所述电子传输层前,先设置氮化物薄膜致密层。

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