[发明专利]一种蓝宝石单面抛光厚度不良返抛方法及返抛装置

权利要求书

1.一种蓝宝石单面抛光厚度不良返抛方法，其特征在于，包括步骤：

根据返抛晶片的硬度、坑点、局部厚度差、平整度、背面所需粗糙度和缺陷类型的对晶片进行分组；

确定每组返抛晶片使用的晶片载盘材料、抛光垫材料、机台盘材料、机台盘形状和抛光液材料，组装返抛设备；

将每组返抛晶片依次按照中心厚度的数值分成若干处理批次；

将每组反抛晶片按批次在对应定好的返抛设备上返抛至完成。

2.如权利要求1所述的蓝宝石单面抛光厚度不良返抛方法，其特征在于，对晶片分组的步骤包括：

返抛晶片的硬度位于3.5g/cm²以下为低硬度组，剩余晶片为高硬度组；对根据硬度分好组的晶片继续分组，坑点位于10以下且厚度高度差位于8μm以下，且局部厚度差位于1.8微米以下，且晶片平整度位于8微米以下为低缺陷组，剩余晶片为高缺陷组；将根据缺陷分好组的晶片继续分组，所需粗糙度位于0.3nm以内为低粗糙度组，剩余为高粗糙度组，晶片外薄内厚为外薄组，晶片内薄外厚为外厚组，则分组完成。

3.如权利要求2所述的蓝宝石单面抛光厚度不良返抛方法，其特征在于，组装返抛设备的步骤包括：

高硬度组选用树脂盘、碳化硼盘或碳化硅盘作为载盘，低硬度组使用陶瓷盘或铁盘作为载盘；高缺陷组使用聚氨酯、橡胶或高分子复合型抛光垫，低缺陷组使用无纺布、尼龙布或绒布作为抛光垫；低粗糙度组，使用氧化铝或氧化铝抛光液，并使用铸铁研磨盘或金刚石研磨盘；高粗糙度组，使用碳化硅或碳化硼抛光液，并使用树脂铜研磨盘或纯铜研磨盘，外薄组使用内凸的机台盘盘型，外厚组使用外凸的机台盘盘型。

4.如权利要求1所述的蓝宝石单面抛光厚度不良返抛方法，其特征在于，将同组返抛晶片分批的步骤包括：

晶片的中心厚度相差0.3μm以内的蓝宝石单抛片分为同一处理批次。

5.如权利要求1所述的蓝宝石单面抛光厚度不良返抛方法，其特征在于，同组返抛晶片进行处理时，相邻两个批次更替时，根据返抛晶片的局部厚度差的数值对返抛机的温度和机台凹凸倾斜度进行调整。

6.如权利要求5所述的蓝宝石单面抛光厚度不良返抛方法，其特征在于，

调整原则为，外厚组晶片的晶片厚度高度差数值相对于零每升高1μm，则机台盘面温度相对于基准温度下降0.5度，机台盘面相对于基准凸凹度降凹15μm，外薄组晶片厚度高度差数值相对于零每升高1μm，则机台盘面的温度相对于基准温度升高0.5度，机台盘面相对于基准凸凹度升凸15μm。；其中，基准温度为25～45℃；大盘基准凹凸度为180～230μm。

7.一种如权利要求1-6任一项所述的蓝宝石单面抛光厚度不良返抛方法使用的返抛装置，包括抛光机主体、抛光机头、机台盘(1)、抛光垫(2)和用于吸附返抛晶片的晶片载盘(3)，其中所述机台盘(1)和所述抛光机头均与所述抛光机主体连接，所述晶片载盘(3)与所述抛光机头连接，所述晶片载盘(3)位于所述机台盘(1)的上方，且所述晶片载盘(3)的晶片吸附面与所述上表面相对，所述抛光垫(2)设置于所述机台盘(1)的上表面。

8.如权利要求7所述的返抛装置，其特征在于，

所述返抛装置还包括抛光液添加装置(4)，所述抛光液添加装置(4)的添加口位于所述上表面的上方。

9.如权利要求7所述的返抛装置，其特征在于，

所述机台盘(1)的盘面为凹面或凸面。

10.如权利要求7所述的返抛装置，其特征在于，

所述晶片载盘(3)与所述抛光机头可拆卸连接，所述机台盘(1)与所述抛光机主体可拆卸连接。