[发明专利]一种自密封的微纳流控芯片加工方法有效
| 申请号： | 201910795946.4 | 申请日： | 2019-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN110560185B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 张琬皎 | 申请（专利权）人： | 杭州欧光芯科技有限公司 |
| 主分类号： | B01L3/00 | 分类号： | B01L3/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 311200 浙江省杭州市大江东产业*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 密封 微纳流控 芯片 加工 方法 | ||
1.一种自密封的微纳流控芯片加工方法，其特征在于：
S1、在玻璃或硅晶圆的基板(1)上用纳米压印的方法制作由压印胶组成的微纳流道(2)及其上的残余层(3)，微纳流道上还包含有残余层(3)；
S2、用反应离子刻蚀(reaction ionetching，RIE)的方法去掉压印胶的残余层(3)；
S3、用原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)的方法，在基板(1)和微纳流道(2)上沉积一层二氧化硅SiO2或二氧化钛TiO2的沉积层(4)；
S4、在微纳流道(2)的两端部打孔(5)分别作为液体试样的进口和出口；
S5、将基板(1)放入高温加热炉中加热，使微纳流道(2)的压印胶气化挥发，待压印胶完全挥发，将基板(1)拿出获得芯片。
2.根据权利要求1所述的一种自密封的微纳流控芯片加工方法，其特征在于：所述步骤S5中，加热温度是300-600摄氏度。
3.根据权利要求1所述的一种自密封的微纳流控芯片加工方法，其特征在于：所述步骤S1中的纳米压印用光刻加显影的方法代替。
4.根据权利要求1所述的一种自密封的微纳流控芯片加工方法，其特征在于：所述步骤S2中的反应离子刻蚀用电感耦合等离子体刻蚀或等离子体去胶的方法代替。
5.根据权利要求1所述的一种自密封的微纳流控芯片加工方法，其特征在于：所述步骤S3中的的原子层沉积用等离子体增强化学的气相沉积的方法代替。
6.根据权利要求1所述的一种自密封的微纳流控芯片加工方法，其特征在于：所述的微纳流道(2)的两端部打孔(5)是在沉积层(4)上制作出两个通孔(6)，两个通孔(6)分别和微纳流道(2)的两端部连通，两个通孔(6)分别作为微纳流道(2)的液体进口和出口。
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