[发明专利]基于掺银氮氧化硅和氧化铝的忆阻突触器件及制备方法在审
| 申请号： | 201910795348.7 | 申请日： | 2019-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN110444661A | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 李伟;伊海;袁余涵;赵昕;刘诚;李东阳;顾德恩 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阻变层 制备 突触 氮氧化硅 氧化铝 掺银 磁控溅射 电极 下电极 单晶抛光硅片 磁控共溅射 采用直流 从上至下 单晶硅片 干燥处理 金属离子 依次设置 阻挡层 清洗 | ||
1.一种基于掺银氮氧化硅和氧化铝的忆阻突触器件，其特征在于：包括从上至下依次设置的上电极、第一阻变层、第二阻变层、下电极；
所述忆阻突触器件第二阻变层作为金属离子阻挡层插入在第一阻变层与下电极之间；
所述基于掺银氮氧化硅和氧化铝的忆阻突触器件的制备方法包括如下步骤：
(1)准备p型重掺杂单晶抛光硅片，并进行清洗和干燥处理；
(2)采用磁控溅射方法在p型重掺杂单晶硅片上制备第二阻变层；
(3)采用反应磁控共溅射方法在第二阻变层上制备第一阻变层；
(4)采用直流磁控溅射方法在第一阻变层上制备上电极。
2.根据权利要求1所述的一种基于掺银氮氧化硅和氧化铝的忆阻突触器件，其特征在于：所述的第二阻变层是通过磁控溅射方法获得的氧化铝薄膜，厚度为10nm～40nm。
3.根据权利要求1所述的一种基于掺银氮氧化硅和氧化铝的忆阻突触器件，其特征在于：所述的第一阻变层是通过反应磁控共溅射方法获得的含银纳米颗粒的氮氧化硅薄膜，厚度为80nm～200nm，银纳米颗粒体积含量为15％～35％。
4.根据权利要求1所述的一种基于掺银氮氧化硅和氧化铝的忆阻突触器件，其特征在于：所述的上电极为采用直流磁控溅射获得的上层金属和下层金属构成的双层复合上电极，总厚度为30nm～100nm，上层金属选自Pt、Al、Cu其中的一种，下层金属为银。
5.根据权利要求1所述的一种基于掺银氮氧化硅和氧化铝的忆阻突触器件，其特征在于：所述的下电极为p型重掺杂抛光单晶硅片。
6.权利要求1至5任意一项所述基于掺银氮氧化硅和氧化铝的忆阻突触器件的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
(1)准备p型重掺杂单晶抛光硅片，并进行清洗和干燥处理；
(2)采用磁控溅射方法在p型重掺杂单晶硅片上制备第二阻变层；
(3)采用反应磁控共溅射方法在第二阻变层上制备第一阻变层；
(4)采用直流磁控溅射方法在第一阻变层上制备上电极。
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