[发明专利]一种碳包覆的银纳米棒阵列及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201910794516.0 | 申请日： | 2019-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN110468376B | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 文懋;王美佳;任萍;张侃;郑伟涛;郑先亮 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/18;C23C14/35;C23C14/34;C23C14/02;C23C16/26;G01N21/65;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 薛红凡 |
| 地址： | 130000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳包覆 纳米 阵列 及其 制备 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳包覆的银纳米棒阵列的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供表面带有金属薄膜的衬底；
加热衬底进行去润湿，然后维持衬底的温度不变，以甲烷为反应气体，以银靶为溅射靶，进行溅射，在衬底上得到碳包覆的银纳米棒阵列；
所述金属薄膜的材质包括Ag或Au；所述金属薄膜的厚度为10～100nm；
所述去润湿的温度为400～800℃，时间为50～70s；
所述溅射过程中衬底的温度为400～600℃。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属薄膜通过磁控溅射法制备得到。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底为硅片或碳纤维布。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述溅射用溅射气体为氩气，所述溅射的工作压强为0.5～1.5Pa，所述溅射的功率为10～100W，所述溅射的时间为60～100min。
5.根据权利要求1或4所述的制备方法，其特征在于，所述溅射的过程中，溅射气体和反应气体的流量比为1:0.6～2.7。
6.一种碳包覆的银纳米棒阵列，由权利要求1～5任一项所述的制备方法制备得到。
7.权利要求6所述的碳包覆的银纳米棒阵列作为SERS衬底的应用。
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