[发明专利]一种有机太阳能电池用电子传输层的改性方法

权利要求书

1.一种有机太阳能电池用电子传输层的改性方法，是在以常规溶胶-凝胶法制备n-型半导体材料的反应体系中加入吡啶类衍生物改性剂，原位制备n-型半导体前驱体溶液，将所述n-型半导体前驱体溶液旋涂成膜，经100～400℃退火处理，得到改性n-型半导体材料类电子传输层。

2.根据权利要求1所述的有机太阳能电池用电子传输层的改性方法，其特征是所述吡啶类衍生物改性剂的加入量满足吡啶类衍生物改性剂与制备的n-型半导体材料的摩尔比为3～300∶100。

3.根据权利要求1所述的有机太阳能电池用电子传输层的改性方法，其特征是所述的n-型半导体材料为金属氧化物。

4.根据权利要求3所述的有机太阳能电池用电子传输层的改性方法，其特征是所述的金属氧化物为氧化锌、氧化铯、二氧化钛、五氧化二铌、氧化铬、三氧化二铝或氧化锡。

5.根据权利要求1所述的有机太阳能电池用电子传输层的改性方法，其特征是所述的吡啶类衍生物改性剂是烷基取代吡啶衍生物、卤素取代吡啶衍生物、具有给电子能力的胺类取代吡啶衍生物、具有拉电子能力的硝基取代吡啶衍生物或含巯基取代的吡啶衍生物。

6.根据权利要求1或5所述的有机太阳能电池用电子传输层的改性方法，其特征是所述的吡啶类衍生物改性剂是4-叔丁基吡啶。

7.根据权利要求1所述的有机太阳能电池用电子传输层的改性方法，其特征是所述退火处理中，退火处理方式是恒温加热或梯度升温加热。

8.采用权利要求1所述的有机太阳能电池用电子传输层的改性方法制备得到的改性n-型半导体材料类电子传输层。

9.权利要求8所述改性n-型半导体材料类电子传输层作为电子传输层材料制备有机太阳能电池的应用。

10.一种有机太阳能电池，自下而上依次包括：透明基底和透明基底上的阴极、旋涂在阴极上的电子传输层、旋涂于电子传输层上的活性层、蒸镀在活性层上的空穴传输层和阳极，其中，所述的电子传输层使用权利要求8所述的改性n-型半导体材料类电子传输层制备，所述活性层由任意电子给体和电子受体的混合物构成，所述空穴传输层由任意无机或有机空穴传输材料构成。