[发明专利]一种交指滤波器

说明书

本发明公开了一种交指滤波器，包括第一屏蔽层，上设有第一通孔；中间支撑层，为框架结构，设置于所述第一屏蔽层上，中间支撑层的左端设有信号输入端口，右端设有信号输出端口；第二屏蔽层，上设有第二通孔，设置于中间支撑层上，与第一屏蔽层和中间支撑层共同构成电磁屏蔽腔；至少一个第一馈电结构，设置在中间支撑层内；至少一个第二馈电结构，设置在中间支撑层内；第一馈电结构与第二馈电结构交错排布形成交指结构，其中，交指结构的第一个馈电结构上设有信号输入凸台，信号输入凸台在所述信号输入端口中，交指结构的最后一个馈电结构上设有信号输出凸台，信号输出凸台在信号输出端口中。本发明结构的滤波器能适用于太赫兹频段的使用。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种交指滤波器。

背景技术

太赫兹波(THz)包含了频率为0.1到10THz的电磁波，其波长范围为30μm～3mm，处于电磁波的毫米波波段的高频和低频率的远红外光谱边缘，广泛应用于通信、雷达、电子对抗、电磁武器、天文、医学成像、无损检测、安全检查等领域。而实际应用中，太赫兹系统需要滤除不需要频率范围外的电磁噪声，提高抗干扰能力，需要使用滤波器。

目前常用的是微带线平面形式滤波器，微带滤波器的应用范围不广，扩展性不强，目前也主要集中在低频的系统中，且对信号的损耗大，难于系统集成，制约了系统的发展。所以急需开发出适合高频微波段尤其是太赫兹频段的高性能滤波器产品。

发明内容

本发明实施例提供了一种交指滤波器，旨在解决目前的滤波器不能适用于太赫兹频段使用需求的问题。

本发明实施例提供了一种交指滤波器，包括：

第一屏蔽层，上设有第一通孔；

中间支撑层，为框架结构，所述中间支撑层为铜材质，设置于所述第一屏蔽层上，所述中间支撑层的左端设有信号输入端口，所述中间支撑层的右端设有信号输出端口；

第二屏蔽层，上设有第二通孔，设置于所述中间支撑层上，与所述第一屏蔽层和所述中间支撑层共同构成电磁屏蔽腔；

至少一个第一馈电结构，设置在所述中间支撑层内，所述第一馈电结构的第一端与所述中间支撑层的前端相连，所述第一馈电结构的第二端悬空；

至少一个第二馈电结构，设置在所述中间支撑层内，所述第二馈电结构的第二端与所述中间支撑层的后端相连，所述第二馈电结构的第一端悬空；

所述第一馈电结构与所述第二馈电结构交错排布形成交指结构，其中，所述交指结构的第一个馈电结构上设有信号输入凸台，所述信号输入凸台在所述信号输入端口中，所述交指结构的最后一个馈电结构上设有信号输出凸台，所述信号输出凸台在所述信号输出端口中。

在本申请的实施例中，所述中间支撑层包括：

第一支撑层，为框架结构，设置于所述第一屏蔽层上；

第二支撑层，设置于所述第一支撑层上，与所述第一支撑层的框架结构相同，所述第二支撑层的框架结构的左端设有所述信号输入端口，所述第二支撑层的框架结构的右端设有所述信号输入端口；其中，所述第一馈电结构和所述第二馈电结构设置于所述第二支撑层内部，所述第二支撑层的内侧面与所述第一馈电结构的第一端相连，所述第二支撑层的内侧面与所述第二馈电结构的第二端相连；

第三支撑层，与所述第一支撑层的框架结构相同，设置于所述第二支撑层上。

在本申请的实施例中，还包括：

第一支撑板，设置在所述第一支撑层和所述第二支撑层之间，且在所述馈电结构下方，对所述第一馈电结构和所述第二馈电结构起支撑作用；

第二支撑板，设置在所述第一支撑层和所述第二支撑层之间，设置在所述信号输入凸台的下方，对所述信号输入凸台起支撑作用；