[发明专利]显示装置和制造该显示装置的方法在审

专利信息
申请号: 201910788259.X 申请日: 2019-08-26
公开(公告)号: CN110867467A 公开(公告)日: 2020-03-06
发明(设计)人: 金兑映;朴锺宇;郑胤宰;金孝中 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 张逍遥;薛义丹
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 显示装置 制造 方法
【说明书】:

提供了一种显示装置和制造该显示装置的方法。该显示装置可以包括:绝缘层;布线,与绝缘层直接接触;第一电极,与绝缘层叠置;有机发光层,位于第一电极上;以及第二电极,位于有机发光层上。布线可以包括包含铜、钒和硅中的至少一种的铝合金。第一电极可以包括银。

技术领域

技术领域涉及一种显示装置和制造该显示装置的方法。

背景技术

诸如有机发光显示装置的显示装置可以包括形成在显示区域中的有机发光元件,并且可以包括形成在与显示区域相邻的外围区域中的用于向有机发光元件传输信号的布线。有机发光元件可以包括电极和置于电极之间的有机发光层。

当蚀刻导电层以形成有机发光元件的电极时,布线和导电层会受到电化学腐蚀。因此,不期望的导电颗粒会形成在布线上而导致布线与邻近的导电构件之间的不期望的短路。短路会不利地影响显示装置的性能。

发明内容

实施例可以涉及一种包括在导电层的蚀刻工艺期间不被显著腐蚀的布线的显示装置。

实施例可以涉及一种制造显示装置的方法。在该方法中,可以在导电层的蚀刻期间使布线的腐蚀最小化。

根据实施例的显示装置可以包括:布线,位于基底上,布线包括包含铜(Cu)、钒(V)和硅(Si)中的任一种的铝(Al)合金;第一电极,位于布线上,第一电极包括银(Ag);有机发光层,位于第一电极上;以及第二电极,位于有机发光层上。

在实施例中,布线可以包括铝铜合金,铝铜合金可以包括约0.2at%至约3.0at%的铜。

在实施例中,布线可以包括铝铜合金,铝铜合金可以包括约0.2at%至约1.0at%的铜。

在实施例中,布线可以包括铝钒合金,铝钒合金可以包括最多约4.0at%的钒。

在实施例中,显示装置还可以包括位于基底和第一电极之间的薄膜晶体管,薄膜晶体管包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极。

在实施例中,布线可以与源电极和漏电极位于基底之上的同一层上。

在实施例中,显示装置还可以包括在布线的末端处与布线一体地形成的垫电极。

在实施例中,布线可以与源电极、漏电极和垫电极位于基底之上的同一层上。

在实施例中,布线可以包括顺序地堆叠的第一层、第二层和第三层,第一层和第三层可以包括钛(Ti),第二层可以包括铝合金。

在实施例中,第一电极可以包括顺序地堆叠的第一层、第二层和第三层,第一层和第三层可以包括氧化铟锡(ITO),第二层可以包括银(Ag)。

根据实施例的显示装置可以包括:布线,位于基底上,布线包括包含铟(In)、镓(Ga)、磷(P)和铊(Tl)中的至少一种的铝(Al)合金;第一电极,位于布线上,第一电极包括银(Ag);有机发光层,位于第一电极上;以及第二电极,位于有机发光层上。

在实施例中,布线可以包括铝铟镓磷铊合金,并且铝铟镓磷铊合金可以包括约0.1at%的铟、约0.2at%的镓、约0.1at%的磷和约0.01at%的铊。

根据实施例的制造显示装置的方法可以包括:在基底上形成布线,布线包括包含铜(Cu)、钒(V)和硅(Si)中的任一种的铝(Al)合金;在布线上形成第一电极,第一电极包括银(Ag);在第一电极上形成有机发光层;以及在有机发光层上形成第二电极。

在实施例中,布线可以包括铝铜合金,铝铜合金可以包括约0.2at%至约3.0at%的铜。

在实施例中,布线可以包括铝铜合金,铝铜合金可以包括约0.2at%至约1.0at%的铜。

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