[发明专利]量子点器件和量子点

权利要求书

1.电致发光器件，包括

彼此面对的第一电极和第二电极，

设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层，所述发射层包括量子点，和

其中所述量子点包括

芯，其包括包含锌硫属化物的第一半导体纳米晶体，和

设置在所述芯上的壳，所述壳包括锌、硫、和硒，

其中所述量子点具有大于10纳米的平均颗粒尺寸，

其中所述量子点不包括镉，和

其中所述量子点的光致发光峰存在于大于或等于430纳米且小于或等于470纳米的波长范围内。

2.如权利要求1所述的电致发光器件，其中所述锌硫属化物包括锌、硒、和任选的碲。

3.如权利要求1所述的电致发光器件，其中所述芯不包括锰、铜、或其组合。

4.如权利要求1所述的电致发光器件，其中所述锌硫属化物包括锌、硒、和碲，和

其中所述量子点具有大于或等于0.001:1且小于或等于0.05:1的碲相对于硒的摩尔比。

5.如权利要求1所述的电致发光器件，其中所述芯包括ZnSe_1-xTe_x，其中，x大于或等于0且小于或等于0.05。

6.如权利要求1所述的电致发光器件，其中所述半导体纳米晶体壳包括在径向方向上的浓度梯度。

7.如权利要求1所述的电致发光器件，其中在所述半导体纳米晶体壳中，硫的量朝着所述量子点的表面增加。

8.如权利要求1所述的电致发光器件，其中所述半导体纳米晶体壳包括

直接设置在所述芯上的第一层，和

设置在所述第一层上的外层，和

其中所述第一层包括具有与所述第一半导体纳米晶体的组成不同的组成的第二半导体纳米晶体，和

其中所述外层包括具有与所述第二半导体纳米晶体的组成不同的组成的第三半导体纳米晶体。

9.如权利要求8所述的电致发光器件，其中所述第二半导体纳米晶体包括锌、硒、和任选的碲，并且所述外层包括锌和硫。

10.如权利要求8所述的电致发光器件，其中所述外层为所述量子点的最外层。

11.如权利要求8所述的电致发光器件，其中所述第一半导体纳米晶体包括ZnSe_1-xTe_x，其中，x大于0且小于或等于0.05，

所述第二半导体纳米晶体包括ZnSe，和

所述第三半导体纳米晶体包括ZnS并且不包括硒。

12.如权利要求8所述的电致发光器件，其中所述第一半导体纳米晶体的能带隙小于所述第二半导体纳米晶体的能带隙，并且所述第二半导体纳米晶体的能带隙小于所述第三半导体纳米晶体的能带隙。

13.如权利要求8所述的电致发光器件，其中所述第二半导体纳米晶体的能带隙小于所述第一半导体纳米晶体的能带隙和所述第三半导体纳米晶体的能带隙。

14.如权利要求1所述的电致发光器件，其中所述量子点具有大于12纳米的平均颗粒尺寸。

15.如权利要求1所述的电致发光器件，其中所述量子点具有大于或等于0.85的平均密实度值。

16.如权利要求1所述的电致发光器件，其中所述量子点具有大于或等于0.9的平均密实度值。

17.如权利要求1所述的电致发光器件，其中所述量子点具有四面体形状、六面体形状、八面体形状、或其组合。