[发明专利]一种复合传感器及其加工方法、TPMS芯片在审
申请号: | 201910785433.5 | 申请日: | 2019-08-23 |
公开(公告)号: | CN112504548A | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 阮盛杰 | 申请(专利权)人: | 武汉杰开科技有限公司 |
主分类号: | G01L19/00 | 分类号: | G01L19/00;B60C23/04;G01P15/12 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 李庆波 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 复合 传感器 及其 加工 方法 tpms 芯片 | ||
1.一种复合传感器,其特征在于,所述复合传感器至少包括依次叠层设置的上盖板、第一衬底层、第二衬底层、引线层及下盖板,所述第一衬底层、所述第二衬底层及所述引线层设置在所述上盖板与所述下盖板之间;所述第一衬底层设置有压力传感器的压力腔和加速度传感器的质量块,所述质量块的一侧设置有释放腔;所述第二衬底层设置有所述压力传感器的第一压敏电阻和所述加速度传感器的第二压敏电阻及悬臂梁;所述引线层设置在所述第二衬底层背离所述第一衬底层的一侧,且与所述第一压敏电阻和所述第二压敏电阻连接。
2.一种复合传感器的加工方法,其特征在于,所述复合传感器包括压力传感器和加速度传感器,所述加工方法包括:
提供第一衬底层,并在所述第一衬底层形成所述压力传感器的压力腔;
在所述第一衬底层设置有所述压力腔的一侧设置第二衬底层;
对所述第一衬底层和所述第二衬底层进行处理,以形成所述压力传感器的第一压敏电阻、所述加速度传感器的第二压敏电阻、所述加速度传感器的悬臂梁和质量块、与所述第一压敏电阻和所述第二压敏电阻连接的引线层。
3.根据权利要求2所述的加工方法,其特征在于,所述对所述第一衬底层和所述第二衬底层进行处理,以形成所述压力传感器的第一压敏电阻、所述加速度传感器的第二压敏电阻、所述加速度传感器的悬臂梁和质量块、与所述第一压敏电阻和所述第二压敏电阻连接的引线层的步骤包括:
在所述第二衬底层形成所述压力传感器的第一压敏电阻和所述加速度传感器的第二压敏电阻;
在所述第二衬底层背离所述第一衬底层的表面上形成与所述第一压敏电阻和所述第二压敏电阻连接的引线层;
在所述第一衬底层及所述第二衬底层形成所述加速度传感器的悬臂梁和质量块。
4.根据权利要求2所述的加工方法,其特征在于,所述提供第一衬底层,并在所述第一衬底层形成所述压力传感器的压力腔的步骤包括:
提供第一衬底层,并在所述第一衬底层的一侧形成第一氧化层;
对所述第一氧化层进行图案化处理,以形成图案化的第一氧化层;
以所述图案化的第一氧化层为掩膜,对所述第一衬底层进行各向异性刻蚀,以在所述第一衬底层上形成所述压力传感器的压力腔。
5.根据权利要求3所述的加工方法,其特征在于,所述在所述第二衬底层形成所述压力传感器的第一压敏电阻和所述加速度传感器的第二压敏电阻的步骤包括:
对所述第二衬底层依次进行研磨和抛光处理;
在所述第二衬底层背离所述第一衬底层的一侧形成第二氧化层;
对所述第二氧化层进行图案化处理,以形成图案化的第二氧化层;
以所述图案化的第二氧化层为掩膜进行离子注入,以在所述第二衬底层形成所述压力传感器的第一压敏电阻和所述加速度传感器的第二压敏电阻;
去除所述图案化的第二氧化层。
6.根据权利要求3所述的加工方法,其特征在于,所述在所述第二衬底层背离所述第一衬底层的表面上形成与所述第一压敏电阻和所述第二压敏电阻连接的引线层的步骤包括:
在所述第二衬底层背离所述第一衬底层的一侧设置绝缘层;
对所述绝缘层进行图案化处理,以在所述绝缘层形成与所述第一压敏电阻对应的第一引线孔和与所述第二压敏电阻对应的第二引线孔;
采用溅射工艺形成引线层;
对所述引线层进行图案化处理,以在所述第二衬底层背离所述第一衬底层的一侧形成图形化的引线层。
7.根据权利要求3所述的加工方法,其特征在于,所述在所述第一衬底层及所述第二衬底层形成所述加速度传感器的悬臂梁和质量块的步骤包括:
对所述第一衬底层背离所述第二衬底层的一侧进行图案化处理,以形成贯穿所述第二衬底层的多个第一腔;
对所述第一氧化层进行图案化处理,以形成贯穿所述第一氧化层的多个第二腔,其中,所述第一腔与所述第二腔贯通。
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