[发明专利]以3;4-二硫烷基噻吩为π桥的光伏小分子受体及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种以3,4-二硫烷基噻吩为π桥的光伏小分子受体，其特征在于，所述光伏小分子受体的结构式为：

2.一种制备权利要求1所述的以3,4-二硫烷基噻吩为π桥的光伏小分子受体的方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

(1)将式Ⅰ和式Ⅱ所示化合物溶于有机溶剂中，在钯类催化剂条件下，加热搅拌回流，发生Stille偶联反应，经后处理去制得式Ⅲ所示化合物；

(2)将式Ⅲ所示化合物与式Ⅳ或式Ⅴ所示化合物溶于有机溶剂中，在催化剂作用下搅拌发生Knoevenagel缩合反应，经后处理制得终产物IDT2ST-4F或IDT2ST-4Cl；

3.根据权利要求2所述的以3,4-二硫烷基噻吩为π桥的光伏小分子受体的制备方法，在步骤(1)中，所述钯类催化剂、式Ⅰ与式Ⅱ的物质的量之比为0.5～0.7:1～2:5～7。

4.根据权利要求2所述的以3,4-二硫烷基噻吩为π桥的光伏小分子受体的制备方法，在步骤(2)中，所述式Ⅲ所示化合物与式Ⅳ或式Ⅴ所示化合物的物质的量之比为1:4～5。

5.根据权利要求2所述的以3,4-二硫烷基噻吩为π桥的光伏小分子受体的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：

(1)将式Ⅰ和式Ⅱ所示化合物溶于超干甲苯中，在四三苯基膦钯的作用下110℃搅拌回流24小时，经后处理制得式Ⅲ所示化合物；

(2)将式Ⅲ所示化合物与式Ⅳ或式Ⅴ所示化合物溶于有机溶剂B中，在吡啶作用下常温搅拌回流12小时，经后处理制得终产物IDT2ST-4F或IDT2ST-4Cl。

6.根据权利要求5所述的光伏小分子受体在制备太阳能器件中的应用，其特征在于，所述太阳能器件包括阳极、阳极修饰层、活性层、阴极修饰层和阴极，所述活性层中的电子给体材料为PBDB-T、电子受体材料为IDT2ST-4F或IDT2ST-4Cl。

7.根据权利要求6所述的光伏小分子受体在制备太阳能器件中的应用，其特征在于，所述太阳能器件的结构为：ITO/PEDOT:PSS/PBDB-T:受体/PDINO/Al。