[发明专利]量子级联半导体激光器

权利要求书

1.一种量子级联半导体激光器，包括：

激光器结构，所述激光器结构具有第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域包括端面；

金属层，所述金属层被设置在所述激光器结构的所述第三区域的主表面上；

分离区域，所述分离区域被设置在所述激光器结构的所述主表面上；和

反射器，所述反射器被设置在所述激光器结构上，

其中，所述反射器包括设置在所述端面和所述分离区域上的介电膜和金属反射膜，

所述激光器结构的所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域在第一轴线的方向上顺序安置，

所述分离区域具有第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分、第二部分和第三部分被分别设置在所述激光器结构的所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域的主表面上，

所述金属层具有在所述第三区域中与所述端面分离的边缘，

所述激光器结构包括半导体台面、嵌入区域和衬底，所述半导体台面包括接触层和芯层，所述半导体台面被嵌入到所述嵌入区域中，所述衬底上安装有所述嵌入区域和所述半导体台面，

所述接触层具有在所述第三区域中与所述端面分离的边缘，

所述分离区域的所述第一部分在所述半导体台面上比所述分离区域的所述第二部分突出的更多，并且

所述分离区域的所述第三部分在所述半导体台面上比所述分离区域的所述第二部分突出的更多。

2.根据权利要求1所述的量子级联半导体激光器，其中，所述激光器结构还包括第四区域，

所述第一区域、所述第二区域、所述第三区域和所述第四区域在所述第一轴线的方向上顺序安置，

所述分离区域包括设置在所述激光器结构的所述主表面上的覆盖层，

所述覆盖层包括第一绝缘层，

所述覆盖层具有条形开口，所述条形开口在所述激光器结构的所述第四区域的所述主表面中位于所述半导体台面的上方，并且

所述金属层通过所述条形开口与所述第四区域接触。

3.根据权利要求2所述的量子级联半导体激光器，其中，所述分离区域包括基底层，所述基底层在与所述第一轴线的方向相交叉的第二轴线的方向上延伸，并且

所述覆盖层被设置在所述基底层上。

4.根据权利要求3所述的量子级联半导体激光器，

其中，所述基底层还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层沿着与所述第一轴线的方向相交叉的所述第二轴线的方向在所述第一区域上延伸，

所述第二绝缘层具有与第一无机绝缘层接触的上表面和侧表面，

所述第二绝缘层具有与介电膜接触的端面，

所述第二绝缘层具有与所述半导体台面接触的底表面，并且

所述第一绝缘层具有与所述分离区域的所述第一部分中的所述介电膜接触的端面和上表面。

5.根据权利要求3或4所述的量子级联半导体激光器，其中，所述基底层包括与所述第一绝缘层的材料不同的材料。

6.根据权利要求3或4所述的量子级联半导体激光器，其中，所述基底层包括与所述第一绝缘层的材料相同的材料。