[发明专利]薄膜应变传感器制备方法

权利要求书

1.一种薄膜应变传感器制备方法，其特征在于，包括：

步骤S10，在金属基底上制备薄膜绝缘层；

步骤S20，在所述薄膜绝缘层的一侧形成金属敏感薄膜层；

步骤S30，在所述金属敏感薄膜层远离所述薄膜绝缘层的一侧形成第一粘接层；

步骤S40，在所述第一粘接层远离所述金属敏感薄膜层的一侧形成石墨烯层；

步骤S50，在所述石墨烯层远离所述第一粘接层的一侧形成第二粘接层；

其中，所述金属敏感薄膜层、所述第一粘接层、所述石墨烯层和所述第二粘接层的形状相同且依次层叠设置，形成电阻栅和电极连接结构。

2.根据权利要求1所述的薄膜应变传感器制备方法，其特征在于，所述步骤S20包括：

采用多次磁控溅射工序在所述薄膜绝缘层的一侧形成金属敏感材料层，并通过构图工艺形成所述金属敏感薄膜层，其中，每相邻两次所述溅射工序间隔预设时间。

3.根据权利要求1所述的薄膜应变传感器制备方法，其特征在于，所述步骤S30包括：

采用多次磁控溅射工序在所述金属敏感薄膜层远离所述薄膜绝缘层的一侧形成粘接材料层，并通过构图工艺形成所述第一粘接层，其中，每相邻两次所述溅射工序间隔预设时间。

4.根据权利要求1所述的薄膜应变传感器制备方法，其特征在于，所述步骤S50包括：

采用多次磁控溅射工序在所述石墨烯层远离所述第一粘接层的一侧形成粘接材料层，并通过构图工艺形成所述第二粘接层，其中，每相邻两次所述溅射工序间隔预设时间。

5.根据权利要求2-4任一权项所述的薄膜应变传感器制备方法，其特征在于，所述溅射工序的工艺参数为：氩气流量为1sccm～70sccm，工作压强为1Pa～3Pa，溅射功率为60W～120W，本底真空度为9.0×10^-4Pa。

6.根据权利要求1所述的薄膜应变传感器制备方法，其特征在于，在所述步骤S50之后还包括：

步骤S60，在所述第二粘接层远离所述石墨烯层的一侧形成薄膜保护层。

7.根据权利要求6所述的薄膜应变传感器制备方法，其特征在于，所述步骤S60包括：

在所述第二粘接层远离所述石墨烯层的一侧涂覆光刻胶，并形成电极保护层，所述电极保护层覆盖所述电极连接结构；

以所述电极保护层为掩膜板，在所述光刻胶层远离所述第二粘接层的一侧形成三层复合材料层；

去除所述电极保护层以及覆盖所述电极保护层的三层复合材料，形成所述薄膜保护层。

8.根据权利要求1所述的薄膜应变传感器制备方法，其特征在于，所述步骤S40包括：

采用化学气象沉积工艺在所述第一粘接层远离所述金属敏感薄膜层的一侧形成所述石墨烯材料层，并通过构图工艺形成所述石墨烯层。

9.根据权利要求1所述的薄膜应变传感器制备方法，其特征在于，所述金属敏感薄膜层的材料为镍铬、铂铬、铜镍和锰铜中的一种。

10.根据权利要求1所述的薄膜应变传感器制备方法，其特征在于，当所述金属敏感薄膜层的材料为镍铬时，所述第一粘接层和所述第二粘接层的材料为镍。