[发明专利]一种新型隔离驱动电路

说明书

一种新型隔离驱动电路，第二电容E1的负极与隔离驱动变压器T1的副边绕组异名端、第二三极管Q2的集电极连接，隔离驱动变压器T1的副边绕组同名端并联连接有第一电阻R1，该第一电阻R1的另一端分别与第一三极管Q1的基极、第二三极管Q2的基极连接；本发明相比于传统隔离驱动方式，能大大的增加驱动能力，并且具有低失真及开通和关断电平恒定等优点；在一个很低的成本下大大增加驱动及抗干扰能力，可用于大功率并管及复杂的电路架构，相比于传统电路，开通和关断很好的抑制变压器本身耦合及漏感带来的驱动畸变，做到驱动开关电平可控，无需钳位二极管D1等优点。

技术领域

本发明涉及用于需要隔离驱动半桥、全桥电路及需要隔离驱动的同步整流驱动领域，更具体地说，尤其涉及一种新型隔离驱动电路。

背景技术

常规变压器隔离驱动方式因直接驱动，具有失真大，开通和关断电平不可控，驱动能力弱等缺点。

发明内容

本发明针对上述缺点对现有技术进行改进，提供一种新型隔离驱动电路，其利用电容储能特性，外加图腾柱驱动方式，对MOS关断时有强抗干扰能力，同时驱动能力也得到增强，技术方案如下：

一种新型隔离驱动电路，包括有隔离驱动变压器T1及连接于驱动脉冲信号输入端口DRV与所述隔离驱动变压器T1的原边绕组同名端之间的第一电容C1 和连接于所述隔离驱动变压器T1的副边绕组同名端与第二电容E1之间的二极管D1，该二极管D1的负极与第二电容E1的正极、第一三极管Q1的集电极连接，所述第二电容E1的负极与隔离驱动变压器T1的副边绕组异名端、第二三极管 Q2的集电极、电源电压端口VSS连接，所述隔离驱动变压器T1的原边绕组异名端接地，所述隔离驱动变压器T1的副边绕组同名端并联连接有第一电阻R1，该第一电阻R1的另一端分别与第一三极管Q1的基极、第二三极管Q2的基极连接，所述第一三极管Q1的发射极与驱动脉冲信号输入端口DRV、第二电阻R2连接，该第二电阻R2的另一端连接第二三极管Q2的发射极。

所述第二电容E1采用电解电容。

所述第一三极管Q1为NPN三极管。

所述第二三极管Q2为PNP三极管。

所述第一电容C1为陶瓷电容。

与现有技术相比，本发明的有益效果为：本发明相比于传统隔离驱动方式，能大大的增加驱动能力，并且具有低失真及开通和关断电平恒定等优点；在一个很低的成本下大大增加驱动及抗干扰能力，可用于大功率并管及复杂的电路架构，相比于传统电路，开通和关断很好的抑制变压器本身耦合及漏感带来的驱动畸变，做到驱动开关电平可控，无需钳位二极管D1等优点。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍：

图1为本发明的电路原理结构示意图；

图2为本发明的半桥驱动及LLC隔离驱动方案电路结构示意图；

图3为本发明的高压同步整流驱动方案电路结构示意图；

具体实施方式

下面结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明的保护范围。

下面将结合附图对本发明实施例作进一步地详细描述，详细如下：