[发明专利]形成顶层导电层的方法在审
| 申请号： | 201910781688.4 | 申请日： | 2019-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN110459504A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 邹永金;曹秀亮 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹廷廷<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 第二材料层 金属层 顶层导电层 第一材料 灰化 表面粗糙度 反射率 | ||
1.一种形成顶层导电层的方法，其特征在于，包括：
形成第一材料层；
形成金属层，所述金属层覆盖所述第一材料层，所述金属层的厚度小于或者等于
形成第二材料层，所述第二材料层覆盖所述金属层，所述第二材料层的厚度小于或者等于
对所述第二材料层的表面执行灰化工艺，其中，所述第一材料层、所述金属层及所述第二材料层构成顶层导电层。
2.根据权利要求1所述的形成顶层导电层的方法，其特征在于，所述第一材料层的材质为氮化钛。
3.根据权利要求1所述的形成顶层导电层的方法，其特征在于，所述第一材料层的厚度大于或者等于
4.根据权利要求1所述的形成顶层导电层的方法，其特征在于，所述第二材料层的材质为氮化钛。
5.根据权利要求1所述的形成顶层导电层的方法，其特征在于，所述金属层的材质为铝。
6.根据权利要求5所述的形成顶层导电层的方法，其特征在于，采用溅射工艺形成所述金属层。
7.根据权利要求6所述的形成顶层导电层的方法，其特征在于，采用磁控溅射工艺形成所述金属层。
8.根据权利要求1所述的形成顶层导电层的方法，其特征在于，在对所述第二材料层的表面执行灰化工艺之后，还包括：
刻蚀所述顶层导电层以得到顶层导电互连结构。
9.根据权利要求1所述的形成顶层导电层的方法，其特征在于，所述灰化工艺为等离子体增强灰化工艺。
10.根据权利要求9所述的形成顶层导电层的方法，其特征在于，执行所述灰化工艺的时间介于25min～30min。
11.根据权利要求10所述的形成顶层导电层的方法，其特征在于，执行所述灰化工艺时，通入介于3000sccm～5000sccm流量的氧气参与灰化反应以去除所述第二材料层的表面残余的高聚物杂质。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
