[发明专利]一种高世代平板用ITO蚀刻液

说明书

本发明公开了一种高世代平板用ITO蚀刻液，包括盐酸、醋酸、金属盐，表面活性剂、消泡剂和水各原料按比例混合而成，所述各原料重量比为：盐酸10～30％，醋酸1～10％，金属盐0.1～1％，表面活性剂0.05～0.5％，消泡剂0.1～1％，水余量，所述各原料重量比为：盐酸22％，醋酸7％，金属盐0.5％，表面活性剂0.2％，消泡剂0.07％，余量的水，所述金属盐使用碱性金属盐，碱金属盐使用盐酸钾，所述水使用纯水，水中杂质离子不超过100ppm所述盐酸浓度为35％，醋酸浓度为90％，盐酸钾纯度为98％。本发明中，ITO蚀刻液在蚀刻过程中完全不产生蚀刻残渣；有效抑制有效起泡，没有大量泡沫产生；能够在温和的工作条件下对无定形ITO膜高效且高精度地进行蚀刻；并且工艺操作十分方便、易于控制。

技术领域

本发明属于蚀刻液制备技术领域，具体为一种高世代平板用ITO蚀刻液。

背景技术

高世代平板是经过高世代生产线生产出的液晶面板，高世代线主要生产32英寸以上的大尺寸液晶面板，一般高世代线界定为六代线及以上，代线，是指玻璃基板的尺寸，代线越大，面板的面积越大，就可以切出小液晶面板的数量越多。铟锡氧化物(ITO)导电膜具有电阻率低，透光性好，高温稳定性好及制备和图形加工工艺简单等诸多优点，是一种理想的透明电极材料，被广泛应用于LCD、PDP、FED、OLED/PLED等平板显示器上作为透明电极。

现有行业用作面板过程中铟锡氧化物半导体透明导电膜(ITO)的蚀刻通常采用盐酸/硝酸混合水溶液、盐酸/三氯化铁水溶液、碘酸水溶液、磷酸水溶液等，这些蚀刻液腐蚀能力强，在试剂蚀刻过程中，往往难以控制蚀刻角度和蚀刻时间，对操作人员和客户端设备的危险性也较高。并且，以上蚀刻液的制备工艺较为复杂。

发明内容

本发明的目的在于：为了解决现有行业用的蚀刻液使用时不好控制蚀刻角度时间的问题，提供一种高世代平板用ITO蚀刻液。

本发明采用的技术方案如下：

一种高世代平板用ITO蚀刻液，包括盐酸、醋酸、金属盐，表面活性剂、消泡剂和水各原料按比例混合而成，所述各原料重量比为：盐酸10～30％，醋酸1～10％，金属盐0.1～1％，表面活性剂0.05～0.5％，消泡剂0.1～1％，水余量。

其中，所述各原料重量比为：盐酸22％，醋酸7％，金属盐0.5％，表面活性剂0.2％，消泡剂0.07％，余量的水。

其中，所述金属盐使用碱性金属盐，碱金属盐使用盐酸钾。

其中，所述水使用纯水，水中杂质离子不超过100ppm。

其中，所述盐酸浓度为35％，醋酸浓度为90％，盐酸钾纯度为98％。

其中，所述的一种高世代平板用ITO蚀刻液的制备方法，包括如下步骤：

步骤1：将强酸型阳离子交换树脂分别加入盐酸和醋酸中，搅拌均匀后静置15～20min，然后滤出强酸型阳离子交换树脂；

步骤2：称取上述重量比的处理后的盐酸和醋酸以及金属盐、表面活性剂、消泡剂和水；

步骤3：将盐酸加入到配料罐中，边搅拌边加入醋酸，然后加入一半分量的水，不断搅拌；

步骤4：将表面活性剂和消泡剂分别与剩余分量的水进行搅拌；

步骤5：将步骤3和步骤4的混合物再进行混合，混合后使用过滤器进行过滤，即得到ITO蚀刻液。

其中，所述强酸型阳离子交换树脂选用强酸型苯乙烯系阳离子交换树脂。

其中，所述过滤器的过滤孔径为0.1～0.5μm。

综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明的有益效果是：