[发明专利]一种四管电压基准电路在审
| 申请号： | 201910775986.2 | 申请日： | 2019-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN110568894A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 王东俊;邓乐武;张雷;魏平;张凯 | 申请（专利权）人： | 成都飞机工业(集团)有限责任公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 51121 成飞(集团)公司专利中心 | 代理人： | 梁义东 |
| 地址： | 610092*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 短接 基准电路 衬底 源极 电源电压 管电压 漏极 带隙基准电路 输出基准电压 开启电压 栅漏短接 低功耗 超宽 | ||
1.一种四管电压基准电路，包括第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第一PMOS管(MP1)和第二PMOS管(MP2)，其特征在于：
所述第一NMOS管(MN1)与第二NMOS管(MN2)的漏极连接后接有电源电压VDD；
所述第一NMOS管(MN1)的栅极和源极短接，所述第一PMOS管(MP1)的源极和衬底短接，所述第二PMOS管(MP2)的栅极和漏极短接，且三者短接后连接并作为基准电路的输出电压VCTAT；
所述第一PMOS管(MP1)的栅漏短接并连接第一NMOS管(MN1)和第二NMOS管(MN2)的衬底，且三者连接后接地；
所述第二NMOS管(MN2)的栅源短接，所述第二PMOS管(MP2)的源极和衬底短接，且两者短接后连接并作为基准电路的输出基准电压。
2.如权利要求1所述的一种四管电压基准电路，其特征在于：所述第一NMOS管(MN1)和第二NMOS管(MN2)均为阈值电压≤0.5V的NMOS管。
3.如权利要求1所述的一种四管电压基准电路，其特征在于：所述第一PMOS管(MP1)和第二PMOS管(MP2)均为阈值电压≥0.7V的NMOS管。。
4.如权利要求1所述的一种四管电压基准电路，其特征在于：所述第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第一PMOS管(MP1)和第二PMOS管(MP2)均工作在压阈值区。
5.如权利要求1所述的一种四管电压基准电路，其特征在于：所述输出电压VCTAT的公式如下：
其中m1、m2分别是第一NMOS管MN1和第一PMOS管MP1的亚阈值斜率因子，VT为热电压,μ1、μ2分别是第一NMOS管MN1和第一PMOS管MP1的电子迁移率；C0x1分别为第一NMOS管MN1和第一PMOS管MP1的栅氧化电容值；VTH1、VTH2分别是第一NMOS管MN1和第一PMOS管MP1的阈值电压；(W/L)N1、(W/L)P1分别是第一NMOS管MN1和第一PMOS管MP1的宽长比。
6.如权利要求1所述的一种四管电压基准电路，其特征在于：所述输出基准电压VREF的公式如下：
其中(W/L)N2、(W/L)P2分别是第二NMOS管MN2和第二PMOS管MP2的宽长比。
化简得公式如下：
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