[发明专利]一种光刻胶清除装置及方法

权利要求书

1.一种光刻胶清除装置，其特征在于，包括：

用于容置光刻胶清洗溶剂的清洗槽，其中，所述光刻胶清洗溶剂用于清洗待清洗半导体器件；

用于向所述待清洗半导体器件发射超声波的超声波发射器，所述超声波发射器设置于所述清洗槽内。

2.根据权利要求1所述的光刻胶清除装置，其特征在于，还包括：开设于所述清洗槽上的排水孔、以及用于所述过滤光刻胶清洗溶剂的过滤器；所述排水孔通过管道连接所述过滤器。

3.根据权利要求2所述的光刻胶清除装置，其特征在于，还包括：开设于所述清洗槽上的注水孔、以及将过滤后的光刻胶清洗溶剂引入所述注水孔的泵；所述过滤器通过管道连接所述泵，所述泵通过管道连接至所述注水孔。

4.根据权利要求3所述的光刻胶清除装置，其特征在于，还包括：用于加热所述光刻胶清洗溶剂的加热器；所述加热器设置于所述过滤器和所述泵之间。

5.根据权利要求3所述的光刻胶清除装置，其特征在于，还包括：储水槽；所述储水槽设置于所述过滤器与所述泵之间。

6.根据权利要求3至5中任一项所述的光刻胶清除装置，其特征在于，还包括：排水阀，所述排水阀设置于所述排水孔与管道连接部分；控制器，所述控制器连接所述排水阀和所述泵，用于控制所述排水阀和所述泵打开和/或关闭。

7.根据权利要求1所述的光刻胶清除装置，其特征在于，还包括：用于加热所述光刻胶清洗溶剂的加热器；所述加热器设置于所述清洗槽底部。

8.根据权利要求1所述的光刻胶清除装置，其特征在于，所述超声波发射器设置于所述清洗槽的底壁上。

9.一种光刻胶清除方法，其特征在于，包括：

提供一设置有超声波发射器的清洗槽；

将待清洗半导体器件和光刻胶清洗溶剂放置于所述清洗槽中，并开启所述超声波发射器。

10.根据权利要求9所述的光刻胶清除方法，其特征在于，应用于如上述权利要求3中的光刻胶清除装置；

在所述将待清洗半导体器件和光刻胶清洗溶剂放置于所述清洗槽中之后，还包括：

在第一预设时长后打开所述清洗槽的排水阀以及所述泵；

并在第二预设时长后关闭所述排水阀，在第三预设时长后关闭所述泵，其中，所述第二预设时长大于所述第一预设时长、且小于所述第三预设时长。

11.根据权利要求9所述的光刻胶清除方法，其特征在于，应用于如上述权利要求5中的光刻胶清除装置；

在所述将待清洗半导体器件和光刻胶清洗溶剂放置于所述清洗槽中之后，还包括：

在第一预设时长后打开所述清洗槽的排水阀；

并在第二预设时长后关闭所述排水阀、打开所述泵；

在第三预设时长后关闭所述泵，其中，所述第二预设时长大于所述第一预设时长、且小于所述第三预设时长。