[发明专利]一种量子垒掺杂的深紫外LED及制备方法

权利要求书

1.一种量子垒掺杂的深紫外LED，其特征在于，包括蓝宝石衬底、N型AlGaN接触层、量子阱有源层、P型AlGaN载流子输运层和P型GaN接触层，所述蓝宝石衬底上依次设置N型AlGaN接触层，量子阱有源层，P型AlGaN载流子输运层和P型GaN接触层；

所述量子阱有源层由6个周期的量子叠层依次堆叠构成，所述量子叠层包括量子垒层和量子阱层，所述量子垒层为12nm的Al_0.55Ga_0.45N量子垒，且所述量子垒层Si掺杂浓度为5×10¹⁸～1×10¹⁹。

2.根据权利要求1中所述的量子垒掺杂的深紫外LED，其特征在于，所述量子阱层为3nm的Al_0.45Ga_0.55N量子阱，且所述量子阱层无掺杂。

3.根据权利要求1中所述的量子垒掺杂的深紫外LED，其特征在于，所述N型AlGaN接触层的厚度为2～3μm，且Si掺杂浓度为5×10¹⁸～1×10¹⁹。

4.根据权利要求1中所述的量子垒掺杂的深紫外LED，其特征在于，所述P型AlGaN载流子输运层厚度为25nm，且Mg掺杂浓度为1×10¹⁹～3×10¹⁹。

5.根据权利要求1中所述的量子垒掺杂的深紫外LED，其特征在于，所述P型GaN接触层厚度为300nm，且Mg掺杂浓度为1×10¹⁹～5×10¹⁹。

6.一种量子垒掺杂的深紫外LED制备方法，其特征在于，具体步骤为采用金属有机化学气相沉积法于蓝宝石衬底上依次沉积N型AlGaN接触层，量子阱有源层，P型AlGaN载流子输运层和P型GaN接触层；

所述量子垒掺杂的深紫外LED制备方法用于制备权利要求1～5中任一所述量子垒掺杂的深紫外LED。

7.根据权利要求6中所述的量子垒掺杂的深紫外LED制备方法，其特征在于，制备所述量子垒掺杂的深紫外LED时，所采用的Ga源为三甲基镓TMGa，Al源为三甲基镓TMAl，氮源为氨气NH₃，载气为氢气H₂，N型和P型的掺杂源分别为硅烷SiH₄和二茂镁Cp₂Mg。

8.根据权利要求6中所述的量子垒掺杂的深紫外LED制备方法，其特征在于，沉积所述N型AlGaN接触层时的反应温度为1050～1080℃；

沉积所述量子阱有源层时的反应温度为1050～1080℃；

沉积所述P型AlGaN载流子输运层时的反应温度为1050～1080℃；

沉积所述P型GaN接触层时的反应温度为950～1000℃。