[发明专利]一种指认二维各向异性晶体的晶轴和晶界的方法

权利要求书

1.一种指认二维各向异性晶体的晶轴的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

(1)将生长在基底上的二维各向异性晶体样品以固定间隔角度旋转至少180°，同时使用偏振光学显微镜拍摄得到晶体在不同旋转角度下的光学照片；

(2)在步骤(1)得到的光学照片基础上，通过软件提取晶体某一相同位置在所述不同旋转角度下的亮度值I_a，以及基底在所述不同旋转角度下的亮度值I_b；

(3)通过式(I)所示公式分别计算所述不同旋转角度下晶体的衬度值C；

C＝(I_a-I_b)/I_b 式(I)

(4)绘制衬度值随旋转角度变化的极坐标图，衬度值最大的两个点的连线即为二维各向异性晶体的(010)晶轴方向，衬度值最小的两个点的连线即为二维各向异性晶体的(100)晶轴方向。

2.根据权利要求1所述的指认二维各向异性晶体的晶轴的方法，其特征在于，所述二维各向异性晶体包括1T'MoTe₂，WTe₂，TaS₂，NbSe₂，VSe₂，优选1T'MoTe₂晶体；

优选地，所述1T'MoTe₂晶体包括六角星状1T'MoTe₂晶体、条带状1T'MoTe₂晶体或五分叉状1T'MoTe₂晶体。

3.根据权利要求1或2所述的指认二维各向异性晶体的晶轴的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述生长在基底上的二维各向异性晶体样品置于旋转载物台上。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的指认二维各向异性晶体的晶轴的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述生长的温度为650-800℃，优选700℃。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的指认二维各向异性晶体的晶轴的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述基底包括SiO₂/Si基底；

优选地，所述基底中SiO₂层的厚度为220-300nm，优选285nm。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的指认二维各向异性晶体的晶轴的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述固定间隔角度为5°-30°，优选10°；

优选地，步骤(1)中，所述样品以固定间隔角度旋转180°-360°；

优选地，步骤(1)中，保持所述样品与所述偏振光学显微镜的光学系统主轴相重合；

优选地，步骤(1)中，保持光源亮度不变；

优选地，步骤(1)中，所述偏振光学显微镜的入射光路中含有起偏器。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的指认二维各向异性晶体的晶轴的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述软件包括Matlab软件；

优选地，步骤(2)中，所述亮度值的提取通道包括红光通道、绿光通道或蓝光通道，优选绿光通道或蓝光通道，进一步优选绿光通道；

优选地，步骤(4)中，所述极坐标图包括红光通道极坐标图、绿光通道极坐标图和蓝光通道极坐标图中的任意一种或至少两种组合，优选绿光通道极坐标图和/或蓝光通道极坐标图，进一步优选绿光通道极坐标图。