[发明专利]用于制造MEMS传感器的方法

权利要求书

1.用于制造MEMS传感器(1)的方法，包括以下步骤：

-提供(S1)在载体层组件(3)的前侧(3a)上的功能层(4)，

-制造(S2)沟(7)以使所述功能层(4)和所述载体层组件的布置在所述功能层(4)下面的部分在侧面上部分地露出以实现机械应力解耦，

-移除(S3)所述载体层组件(3)的背侧(3b)的一部分，其中，形成侧面的载体框架(2)，

-构造(S4)所述载体层组件(3)的所述背侧(3b)的在所述移除之后的剩余部分的表面(3b’)以排出和/或挤出介质。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述表面(3b’)无表面形貌地构造。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述表面(3b’)关于所述功能层(4)而言凸形地构造。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，借助于磨削和抛光减小所述载体层组件(3)的厚度。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，将保护层(6a、6b)在制造所述沟(7)之前施加在所述功能层(4)上和/或施加在所述载体层组件(3)的所述背侧(3b)的所述剩余部分上。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，借助于喷射将所述保护层(6a、6b)施加在所述载体层组件(3)的所述背侧(3b)的所述剩余部分上。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，提供具有能运动的膜片的所述功能层(4)。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中，建立所述载体框架(2)的下边缘和所述载体层组件(3)的所述背侧(3b)的所述剩余部分之间的至少200微米、尤其至少250微米、优选至少300微米的距离。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中，从所述前侧(3a)制造所述沟(7)。

10.根据权利要求3所述的方法，其中，借助于横向上不同的蚀刻速率进行所述载体层组件(3)的所述背侧的所述部分的移除。

11.MEMS传感器(1)，包括：

载体框架(2)，

载体层组件(3)，其中，在所述载体层组件(3)的前侧(3a)上布置有功能层(4)，

用于将所述载体层组件(3)固定在所述载体框架(2)上的弹簧装置(5)，其中，所述载体层组件(3)在该载体层组件的背离所述功能层(4)的一侧上构造为用于排出和/或挤出介质。