[发明专利]单晶硅制绒工艺及装置

说明书

本发明公开了一种单晶硅制绒工艺，将硅片依次进行前酸清洗→纯水清洗→预清洗→粗抛→碱清洗→纯水清洗→制绒→纯水清洗→后清洗→纯水清洗→后酸清洗→纯水清洗→慢提拉→烘干处理。本发明可以有效解决绒面脏污问题，同时制备的金字塔大小均匀、尺寸一致且密集分布于硅片表面，绒面反射率低。而且制绒工序整体时间短，提高了产量。

技术领域

本发明涉及一种单晶硅制绒工艺及装置，属于晶硅太阳电池制造技术领域。

背景技术

目前太阳电池朝着高效低成本方向发展，电池效率不断提高。太阳电池要获得良好的光电转换效率就需要有更多的太阳光进入到太阳电池内部而不被反射掉。因此就需要制备反射率更低，且符合后道工序的绒面结构。目前产业上单晶硅的绒面制备方法大多为碱制绒，但是制绒过程中会出现白点、齿印，脏污清洗不干净，绒面反射率较大，金字塔尺寸不均匀及制绒工序时间较长等缺点。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：解决了如何减少在制绒过程中硅片表面的脏污，降低绒面的反射率，使得金字塔尺寸均匀及减少制绒工序时间的问题。

为了解决上述技术问题，本发明的技术方案是提供了一种单晶硅制绒工艺，其特征在于，包括以下步骤：

步骤(1)、将需要制绒的原始硅片放入到前酸洗槽进行前酸清洗；

步骤(2)、将步骤(1)酸洗后的硅片放入到第一纯水清洗槽进行纯水清洗；

步骤(3)、在前清洗槽将步骤(2)纯水清洗后的硅片进行表面预清洗处理；

步骤(4)、在粗抛槽将步骤(3)预清洗处理后的硅片进行粗抛处理；

步骤(5)、在碱清洗槽将步骤(4)粗抛后的硅片进行清洗处理；

步骤(6)、将步骤(5)碱清洗处理后的硅片放入到第二纯水清洗槽进行纯水清洗；

步骤(7)、在制绒槽将步骤(6)纯水清洗后的硅片进行制绒处理；

步骤(8)、将步骤(7)制绒后的硅片放入到第三纯水清洗槽进行纯水清洗；

步骤(9)、在后清洗槽将步骤(8)纯水清洗后的硅片进行表面后清洗处理；

步骤(10)、将步骤(9)表面后清洗的硅片放入到第四纯水清洗槽进行纯水清洗；

步骤(11)、将步骤(10)纯水清洗处理后的硅片放入到后酸洗槽进行后酸清洗处理；

步骤(12)、将步骤(11)后酸清洗处理后的硅片放入到第五纯水清洗槽进行纯水清洗；

步骤(13)、将步骤(12)纯水清洗后的硅片放入到慢提拉槽进行预脱水；

步骤(14)、将步骤(13)预脱水后的硅片放入到烘干槽进行烘干。

优选地，所述的步骤(1)和步骤(11)中，前酸洗槽和后酸洗槽内的溶液为HF/HCL溶液；所述HF/HCL溶液中，HF的体积浓度为4-8％，HCL的体积浓度5-10％，其余为纯水；酸清洗温度为20-30℃，时间为60-120S，同时进行循环鼓泡。

优选地，所述的步骤(3)、步骤(5)和步骤(9)中，前清洗槽、碱洗槽和后清洗槽内的溶液为碱性溶液与H2O2的混合溶液；所述碱性溶液与H2O2的混合溶液中，碱性溶液的质量浓度为0.4-0.6％，H2O2的质量浓度为1.5-2.5％；碱性溶液为KOH或NaOH或NH4OH；清洗的温度为60-65℃，时间为60-120S，同时进行循环鼓泡。