[发明专利]纳米材料及其制备方法和量子点发光二极管

说明书

本发明属于平板显示技术领域，具体涉及一种纳米材料及其制备方法和量子点发光二极管。本发明所提供的纳米材料的制备方法包括以下步骤：提供镍前驱体、磷前驱体、聚合物和溶剂，将镍前驱体、磷前驱体和聚合物溶解在溶剂中，制备纺丝溶液；将纺丝溶液进行纺丝处理，制备前驱体纤维；在含氧气氛下，将前驱体纤维进行高温烧结处理，获得磷掺杂的氧化镍纳米纤维。通过结合纺丝处理以及高温烧结的技术，合成了一种氧化镍纳米纤维，具有纤维细长的特性和交错的形貌，并在合成过程中同步对氧化镍进行磷掺杂改性，大大提升了氧化镍纳米材料的电子传输效率。

技术领域

本发明属于平板显示技术领域，具体涉及一种纳米材料及其制备方法和量子点发光二极管。

背景技术

量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)是一种电致发光器件，由于其拥有高发光效率、高色纯度、窄发光光谱、发射波长可调等优点而成为新一代优秀显示技术。目前，限制QLED大规模商业应用的主要问题在于其器件寿命较低以及稳定性较差，其中最主要的问题在于器件结构中空穴传输效率太低，无法与电子传输效率平衡，影响了空穴在量子点发光层与电子有效复合。

QLED的纳米材料包括有机聚合物和金属氧化物，相对于有机聚合物，金属氧化物具有更好的稳定性，不会腐蚀ITO基板，有利于制备更高寿命的QLED，现已常被用来制备QLED的空穴注入层和/或空穴传输层。但是，金属氧化物的空穴迁移率低于有机聚合物，无法兼顾器件稳定性和空穴传输性能。因此，提供一种具备高空穴传输效率的纳米材料，成为了本领域技术人员的研究焦点。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种纳米材料的制备方法及由此得到的纳米材料，旨在提升现有金属氧化物纳米材料的空穴传输效率。

本发明的另一目的在于提供一种量子点发光二极管。

为了实现上述发明目的，本发明提供了下述技术方案：

一种纳米材料的制备方法，包括以下步骤：

提供镍前驱体、磷前驱体、聚合物和溶剂，将所述镍前驱体、所述磷前驱体和所述聚合物溶解在所述溶剂中，制备纺丝溶液；

将所述纺丝溶液进行纺丝处理，制备前驱体纤维；

在含氧气氛下，将所述前驱体纤维进行高温烧结处理，获得磷掺杂的氧化镍纳米纤维。

本发明提供的上述纳米材料的制备方法，通过结合纺丝处理以及高温烧结的技术，合成了一种氧化镍纳米纤维，具有纤维细长的特性和交错的形貌，并在合成过程中磷原子取代氧化镍的部分氧位点，同步实现对氧化镍进行磷掺杂改性，大大提升了氧化镍纳米材料的电子传输效率，方法简单，操作简便，易于控制，安全稳定。

相应的，一种纳米材料，包括：磷掺杂的氧化镍纳米纤维。

本发明提供的纳米材料，为磷掺杂的氧化镍纳米纤维，一方面，磷原子取代氧化镍的部分氧位点，形成p型掺杂，可提供更多的空穴位点，提高材料的空穴迁移率，另一方面，氧化镍纳米纤维表面取代氧位点的磷原子可成为氧化锌纳米纤维形成膜层时的空穴活化位点，并作为膜层中空穴迁移的桥梁，提高氧化镍纳米纤维之间的空穴传输通量；同时，磷掺杂的氧化镍纳米纤维具有纤维细长的特性，利于电荷在传输膜层中的传输，有效提高了本发明纳米材料的空穴传输效率。

相应的，一种量子点发光二极管，包括相对设置的阴极和阳极，设置在所述阴极和所述阳极之间的量子点发光层，以及设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴传输层，所述空穴传输层的材料包括：由前述制备方法制得的纳米材料或上述纳米材料。

本发明提供的量子点发光二极管，其空穴传输层的材料包括上述制备方法制得的纳米材料，其具有良好的空穴传输性能，且水溶性好，易于成膜，稳定性高，可从整体上提高量子点发光二极管的发光性能。

附图说明