[发明专利]包含加强结构的重布层以及相关半导体装置封装、系统和方法

权利要求书

1.一种重布层RDL结构，其包括：

至少一个导电迹线层级，其处于低k介电材料的邻近层级之间；以及

加强结构，其包括接近所述RDL结构的外围且从所述外围朝内的导电材料，所述加强结构与所述至少一个导电迹线层级电隔离并在所述RDL结构的第一主表面与第二主表面之间延伸。

2.根据权利要求1所述的RDL结构，其中所述加强结构在所述RDL结构的所述外围内且在其附近连续地延伸。

3.根据权利要求1所述的RDL结构，其中所述RDL结构包括与所述至少一个导电迹线层级相同的材料，并进一步包括在所述至少一个导电迹线层级与所述第一主表面和所述第二主表面之间延伸的导电触点。

4.根据权利要求1所述的RDL结构，其中所述低k介电材料包括所述低k介电材料的多个层级的层压物。

5.根据权利要求4所述的RDL结构，其中所述至少一个导电迹线层级包括两个或更多个导电迹线层级。

6.根据权利要求5所述的RDL结构，其中不同层级中的至少两个导电迹线与导电触点互连，且所述导电迹线中的至少一些电连接到延伸到所述第一主表面的触点和延伸到所述第二主表面的另一触点。

7.根据权利要求5所述的RDL结构，其中所述加强结构包括通过在之间延伸的柱元件竖直互连的多个横梁层级。

8.根据权利要求7所述的RDL结构，其中所述柱元件中的至少一些从上方或下方的至少一个其它柱元件横向偏移。

9.根据权利要求7所述的RDL结构，其中所述横梁平行于所述RDL结构的外围边缘延伸，以在从所述RDL结构的主表面查看时界定方形波图案。

10.根据权利要求7所述的RDL结构，其中不同和邻近层级中的横梁彼此垂直地定向，以在从所述RDL结构的主表面查看时界定z形图案。

11.根据权利要求5所述的RDL结构，其中所述加强结构包括多个横梁层级，每个层级在所述RDL结构的所述外围内且在其附近连续地延伸。

12.一种半导体装置封装，其包括：

半导体裸片；

重布层RDL结构，其在其一个主表面上电连接到所述半导体裸片，所述RDL结构包括：

一或多个导电迹线层级，所述导电迹线中的至少一些横向延伸超出所述半导体裸片的外围；

触点，其电连接到所述导电迹线，从而界定所述RDL结构的另一相对主表面上的端子垫的图案；

外部导电元件，其从所述端子垫突出；以及

加强结构，其在所述RDL结构的所述主表面之间延伸，所述加强结构包括与所述导电迹线电隔离的导电材料以及导电触点，且从所述RDL结构的邻近边缘朝内且在其附近外围地定位。

13.根据权利要求12所述的半导体装置封装，其中所述加强结构包括方形波图案和z形图案中的一个，所述方形波图案平行于所述RDL结构的每个外围边缘延伸，所述z形图案线性地且平行于所述RDL结构的每个外围边缘延伸。

14.根据权利要求12所述的半导体装置封装，其中所述加强结构包括数个互连层级，其数目等于包括所述RDL结构的层压物介电质的低k介电材料的层级的数目。

15.根据权利要求14所述的半导体装置封装，其中所述加强结构的所述互连层级以机械方式与所述低k介电材料的所述层级互锁。

16.根据权利要求12所述的半导体装置封装，其进一步包括模制包封体，所述模制包封体至少包围所述半导体裸片的侧面、与所述RDL结构的所述第一主表面接触且接合并延伸到所述RDL结构的外围边缘。