[发明专利]显示装置在审
| 申请号: | 201910768439.1 | 申请日: | 2019-08-20 |
| 公开(公告)号: | CN110854159A | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
| 发明(设计)人: | 郑京准;朴振佑;吴忠玩;金嘉映 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有;苏虹 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,包括:
布置在有源区域中的一个或更多个像素和与所述一个或更多个像素相关联的像素电路;以及
电源线,其被布置在所述有源区域外的非有源区域中并且连接至所述像素电路,
其中所述电源线的至少一侧覆盖有外涂层,
所述外涂层包括与所述电源线的所述至少一侧相邻的第一部分和比所述第一部分更远离所述电源线的第二部分,并且
所述第一部分具有比所述第二部分小的厚度。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述外涂层布置在所述有源区域和所述非有源区域两者中。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中所述外涂层暴露所述电源线的至少一部分。
4.根据权利要求1所述的显示装置,还包括:
布置在所述电源线上的第一金属层,
其中所述电源线和所述第一金属层彼此接触。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中所述第一金属层位于所述第一部分上而不位于所述第二部分上。
6.根据权利要求4所述的显示装置,其中所述第一金属层是使用与包括在所述像素电路中的阳极电极相同的材料制备的。
7.根据权利要求4所述的显示装置,还包括:
在所述外涂层和所述第一金属层上的堤部。
8.根据权利要求7所述的显示装置,还包括:
在所述堤部上的第二金属层。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中所述第二金属层是使用与包括在所述像素电路中的阴极电极相同的材料制备的。
10.根据权利要求8所述的显示装置,其中所述堤部在所述第一金属层上具有得以抑制所述第一金属层与所述第二金属层之间的接触的厚度。
11.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述电源线是使用与包括在所述像素电路中的薄膜晶体管的源电极和/或漏电极相同的材料制备的。
12.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述电源线具有其中依次层叠钛、铝和钛的多层结构。
13.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第一部分是使用半色调掩模或狭缝掩模制备的。
14.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述电源线是高电位电源线、初始化电源线或低电位电源线。
15.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第一部分是所述第二部分的厚度的一半。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





