[发明专利]基于缝隙耦合结构的可重构反射阵天线

权利要求书

1.一种基于缝隙耦合结构的可重构反射阵天线，包括反射阵列(1)、第一介质板(2)、第一地板(3)、第二介质板(4)、相移延迟线(5)、直流偏置线(6)、第二地板(7)、控制电路(8)；其特征在于，所述的反射阵列(1)由M×N个相同的金属辐射体(9)以半波长为周期组成，其中，M、N为1<M<50，1<N<50中的任意一个整数；所述的第一介质板(2)与第二介质板(4)压合成一个整体结构；所述的第一地板(3)位于第一介质板(2)的下表面，第二地板(7)位于第二介质基板(4)的下方；所述的相移延迟线(5)上加载一个PIN二极管(10)；所述的相移延迟线(5)上设置短路扇形结构(11)；所述的相移延迟线(5)为倒L型，由两段微带线组成；所述的直流偏置线(6)上设置扇形枝节(12)；所述的直流偏置线(6)与相移延迟线(5)连接；所述的控制电路(9)与直流偏置线(6)连接；所述的直流控制电路(9)包括主控芯片(13)、数字逻辑芯片(14)、驱动芯片(15)、指示灯(16)、自检端子(17)；主控芯片(13)与数字逻辑芯片(14)连接，数字驱动芯片(15)与指示灯(16)连接，自检端子(17)与地线连接。

2.根据权利要求1所述的基于缝隙耦合结构的可重构反射阵天线，其特征在于，所述的反射阵列(1)中的金属辐射体(10)的半径R取值范围为5～7mm。

3.根据权利要求1所述的基于缝隙耦合结构的可重构反射阵天线，其特征在于，所述的第一地板(3)、第二地板(7)均采用金属结构，第一地板(3)的缝隙长度取值范围为10～18mm，缝隙宽度取值范围为1～2mm。

4.根据权利要求1所述的基于缝隙耦合结构的可重构反射阵天线，其特征在于，所述的相移延迟线(5)的长度L₁+L₂取值范围为5～25mm，宽度取值范围为1.5～2.5mm。

5.根据权利要求1所述的基于缝隙耦合结构的可重构反射阵天线，其特征在于，所述的直流偏置线(6)宽度取值范围为0.1～0.5mm。

6.根据权利要求1所述的基于缝隙耦合结构的可重构反射阵天线，其特征在于，所述的第二地板(7)与第二介质板(4)距离取值范围为3～10mm。

7.根据权利要求1所述的基于缝隙耦合结构的可重构反射阵天线，其特征在于，所述的短路扇形结构(12)的半径R₁取值范围为2～4mm，扇形弧度θ取值范围为60°～120°。