[发明专利]OLED显示装置在审
申请号: | 201910766539.0 | 申请日: | 2019-08-20 |
公开(公告)号: | CN110600505A | 公开(公告)日: | 2019-12-20 |
发明(设计)人: | 周思思 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 非显示区域 显示区域 下边框 薄膜晶体管电路 栅极线 电性连接 两侧设置 区域边缘 保护层 防静电 延伸 | ||
一种OLED显示装置,包括OLED显示面板,所述OLED显示面板具有显示区域和非显示区域,所述显示区域中设置有薄膜晶体管电路,所述非显示区域包括下边框区域,所述下边框区域的边缘两侧设置有GOA电路,所述薄膜晶体管电路中的栅极线由所述显示区域延伸到所述非显示区域,并与所述GOA电路电性连接。其中,位于所述下边框区域边缘两侧的部分所述栅极线的上方设置有防静电保护层。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED显示装置。
背景技术
AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,有源矩阵有机发光二极管)显示装置因其高对比度、广色域、低功耗、可折叠等特性,逐渐成为新一代显示技术。相较于LCD(Liquid Crystal Display,液晶显示器)技术,AMOLED的一大优势为其可应用于柔性显示面板中,尤其是可通过所谓面板弯折技术将面板的下边框弯折至面板后方,实现减小边框的目的。目前AMOLED的防静电测试主要使用静电枪接触击打显示面板上的8个点,对于柔性OLED显示屏一般出现问题的点位在显示面板正面靠近下边框的两侧边缘,显示面板靠外侧的WOA(Wire On Array,阵列基板走线)金属线会被静电炸伤导致显示面板无法点亮。
综上所述,现有的OLED显示装置,在对显示面板进行防静电测试时,位于显示面板靠外侧的WOA金属线会被静电炸伤,导致显示面板无法点亮,进一步对OLED显示装置造成损伤。
发明内容
本发明提供一种OLED显示装置,能够防止显示面板靠外侧的WOA金属线被静电炸伤,以解决现有的OLED显示装置,在对显示面板进行防静电测试时,位于显示面板靠外侧的WOA金属线会被静电炸伤,导致显示面板无法点亮,进一步对OLED显示装置造成损伤的技术问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明一种OLED显示装置,其特征在于,包括OLED显示面板,所述OLED显示面板具有显示区域和非显示区域,所述显示区域中设置有薄膜晶体管电路,所述非显示区域包括下边框区域,所述下边框区域的边缘两侧设置有GOA电路,所述薄膜晶体管电路中的栅极线由所述显示区域延伸到所述非显示区域,并与所述GOA电路电性连接。
其中,位于所述下边框区域边缘两侧的部分所述栅极线的上方设置有防静电保护层。
根据本发明一优选实施例,所述防静电保护层沿着位于所述下边框区域边缘两侧的部分所述栅极线的走向分布。
根据本发明一优选实施例,所述防静电保护层为阵列结构有机层,所述阵列结构有机层包括层叠设置的第一平坦化层、第二平坦化层以及像素定义层。
根据本发明一优选实施例,所述第一平坦化层、所述第二平坦化层以及所述像素定义层的材料均为有机树脂。
根据本发明一优选实施例,所述防静电保护层为薄膜封装无机层,所述薄膜封装无机层包括第一无机封装层以及第二无机封装层。
根据本发明一优选实施例,所述薄膜封装无机层的材料为氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氮化硅中任意一种或者多种的组合。
根据本发明一优选实施例,所述OLED显示面板在所述显示区域的部分包括柔性衬底、缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极线、第二栅极绝缘层、第二栅极线、层间绝缘层、第一源漏极线、第二源漏极线、所述阵列结构有机层、阳极金属层以及所述薄膜封装无机层。
根据本发明一优选实施例,所述第一源漏极线经由第一过孔与所述有源层电性连通。
根据本发明一优选实施例,所述OLED显示面板在所述下边框区域的部分包括柔性衬底、缓冲层、第一栅极绝缘层、第三栅极线、第二栅极绝缘层、层间绝缘层以及所述防静电保护层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的