[发明专利]用于处理腔室的涂覆材料在审
| 申请号： | 201910765969.0 | 申请日： | 2019-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN110846636A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 元泰景;崔寿永;崔金贤;崔毅;古田学 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 处理 材料 | ||
1.一种在具有大于约9m2的表面积的基板上方沉积介电膜的方法，包括：
在工艺腔室中以工艺功率沉积所述介电膜，其中所述工艺功率以在约0.25W/cm2至约0.35W/cm2之间的功率密度提供；
以工艺压力沉积所述介电膜，所述工艺压力在约1.0托至约1.5托之间；和
从包括N2、NH3和SiH4的前驱物沉积所述介电膜，其中NH3/SiH4流量比在约1.5至约9之间，N2/SiH4流量比在约2.0至约6.0之间，并且N2/NH3流量比在约0.4至约2.0之间。
2.如权利要求1所述的方法，其中在所述工艺腔室中的电极间距在约900密耳至约1000密耳之间。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述工艺压力在约1.3托至约1.5托之间。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述功率密度在约0.25W/cm2至约0.35W/cm2之间。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述基板在约120摄氏度至约340摄氏度之间的温度范围下。
6.如权利要求5所述的方法，其中所述温度在约240摄氏度至约320摄氏度之间。
7.一种在具有大于约9m2的表面积的基板上方沉积介电膜的方法，包括：
在工艺腔室中以工艺功率沉积所述介电膜，其中所述工艺功率以在约0.25W/cm2至约0.35W/cm2之间的功率密度提供；
以工艺压力沉积所述介电膜，所述工艺压力在约1.3托至约1.5托之间；和
从包括N2、NH3和SiH4的前驱物沉积所述介电膜，其中NH3/SiH4流量比在约1.5至约7.0之间，N2/SiH4流量比在约2.0至约5.0之间，并且N2/NH3流量比在约0.4至约2.0之间。
8.如权利要求7所述的方法，其中在所述工艺腔室中的电极间距在约900密耳至约1000密耳之间。
9.如权利要求7所述的方法，其中所述功率密度在约0.30W/cm2至约0.35W/cm2之间。
10.如权利要求7所述的方法，其中所述基板在约120摄氏度至约340摄氏度之间的温度下。
11.如权利要求10所述的方法，其中所述温度在约240摄氏度至约320摄氏度之间。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
