[发明专利]光刻方法和装置

权利要求书

1.一种极紫外光刻(EUVL)方法，包括：

提供具有相同图案的至少两个相移掩模区域，其中所述至少两个相移掩模区域的每个包括第一反射层和位于所述第一反射层上方的第二反射层并且所述第二反射层被图案化以定义第一状态和第二状态，从具有第一状态的区域反射的光与从具有第二状态的区域反射的光具有180°相位差；

在衬底上方形成抗蚀剂层；

确定所述抗蚀剂层的最佳曝光剂量；以及

通过多重曝光工艺在所述抗蚀剂层的相同区域上形成潜像，

其中，所述多重曝光工艺包括多个曝光工艺，并且所述多个曝光工艺中的每个曝光工艺使用具有相同图案的所述至少两个相移掩模区域中的不同的相移掩模区域。

2.根据权利要求1所述的EUVL方法，其中，所述至少两个相移掩模区域中的至少一个相移掩模区域包括缺陷。

3.根据权利要求1所述的EUVL方法，其中，所述至少两个相移掩模区域是来自单个相移掩模的。

4.根据权利要求1所述的EUVL方法，其中，所述至少两个相移掩模区域是来自至少两个相移掩模的。

5.根据权利要求1所述的EUVL方法，其中，所述最佳曝光剂量是基于以下曝光剂量的，该曝光剂量针对所述至少两个相移掩模区域中的一个相移掩模区域上的图案用于在相应的单个曝光工艺下实现目标尺寸。

6.根据权利要求1所述的EUVL方法，其中，所述多个曝光工艺中的每个曝光工艺的曝光剂量小于所述最佳曝光剂量。

7.根据权利要求1所述的EUVL方法，其中，所述多个曝光工艺中的每个曝光工艺的曝光剂量彼此相等。

8.根据权利要求1所述的EUVL方法，其中，所述多个曝光工艺中的每个曝光工艺的曝光剂量彼此不同。

9.根据权利要求1所述的EUVL方法，其中，所述多个曝光工艺的曝光剂量的总和在所述最佳曝光剂量的90％至110％的范围内。

10.根据权利要求1所述的EUVL方法，其中，在所述抗蚀剂层的相同区域上形成潜像包括：执行四个曝光工艺，每个曝光工艺使用具有所述相同图案的不同相移掩模区域。

11.一种光刻装置，包括：

辐射源；

相移掩模，包括第一掩模区域和第二掩模区域，所述第一掩模区域和所述第二掩模区域具有相同图案，其中所述第一掩模区域和所述第二掩模区域的每个包括第一反射层和位于所述第一反射层上方的第二反射层并且所述第二反射层被图案化以定义第一状态和第二状态，从具有第一状态的区域反射的光与从具有第二状态的区域反射的光具有180°相位差；

掩模台，被配置为支撑所述相移掩模；

晶圆台，被配置为支撑晶圆；以及

控制器，

其中，所述控制器被配置为：

确定涂覆在所述晶圆上的抗蚀剂层的最佳曝光剂量；

使用所述相移掩模的所述第一掩模区域来控制将所述抗蚀剂层的第一部分曝光至第一曝光剂量；

控制所述晶圆相对于所述相移掩模的移动；以及

使用所述相移掩模的所述第二掩模区域来控制将所述抗蚀剂层的所述第一部分曝光至第二曝光剂量，并且使用所述相移掩模的所述第一掩模区域来控制将所述抗蚀剂层的第二部分曝光至所述第二曝光剂量。

12.根据权利要求11所述的光刻装置，其中，所述相移掩模是反射掩模。

13.根据权利要求11所述的光刻装置，其中，所述辐射源是极紫外辐射源。

14.根据权利要求11所述的光刻装置，其中，所述相移掩模包括第三掩模区域和第四掩模区域，所述第三掩模区域和所述第四掩模区域具有与所述第一掩模区域或所述第二掩模区域中的图案相同的图案。