[发明专利]MOSFET测试装置

说明书

本发明提供了一种MOSFET测试装置，包括：控制板，用于控制继电器输出控制信号；电压器，用于产生电压小信号；脉变变压器，与被测元件的发射极和集电极电连接，用于对所述电压器产生的电压小信号进行层层放大，使电压小信号放大成高额电压信号；监测单元，通过测试电路监测被测元件的参数信息。本发明通过控制板对内部功率源激励产生脉冲信号，电压器产生电压小信号，通过脉变电路，层层放大，使其达到2000V的高额电压信号，测试电路对待测器件进行测试，具有精度高、测试速度快的优点。

技术领域

本发明涉及MOS管检测领域，尤其涉及一种MOSFET测试装置。

背景技术

MOS管测试仪又叫功率器件图示仪，是半导体器件生产厂商、电子产品整机厂商、电子专业实验室等机构最常用的一种仪器之一。

传统的功率器件特性图示仪近似于一种专用示波器，它能直接观察各种功率器件的特性曲线及曲性簇。例如：可以直接观测半导体管的共集电极，共基板和共发射极的输入特性，输出特征，转换特征，β参数以及α参数等，并可根据需要，测量半导体管的其他各项极限特性与击穿特性参数。

时下一些国外进口的高端图示仪更是以高压大功率、数显和曲线两种数据结果的保存、毫伏纳安级的分辨率以及丰富的外联接口（机械手、探针台、分选机……）等诸多先进特性，主导和占据着中国“高端图示仪”近乎全部的市场。

现在通用的功率器件图示仪基本上是国产图示仪的天下，价格大多都徘徊在数千元这样的级别，国外仪器厂家基本上都退出了通用图示仪的市场。但是国产图示仪的性能较差，设计比较“土”。

国产图示仪的测试电路如图1所示，该测试电路可看作一个高压恒流源向待测管馈电，用万用表就可直接读出管子的反向击穿电压。电路实质上是一个反馈式直流变换器，它将3V直流电压转换为1200V左右的主高压直流电。电路通电后，由于变压器T的绕组N1与N2之间的耦合反馈作用，使电路形成强烈振荡，振荡电压经绕组N3升压，由VD2整流后向电容c2充电，使C2两端可获得约1200v直流高压。此高压经高值电阻器R2限流施加到待测管，使管子击穿，并接在待测管两端的万用表就能直接读出管子的反向击穿电压。由于R2电阻值很大，起到一个恒流源作用。

传统的MOS管测试仪测试电流分辨率在1uA以内，打压分辨率在100mV以内，且测试一个参数大概需要30秒，测试效率极低，操作非常繁琐。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种MOSFET测试装置。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

MOSFET测试装置，包括：

控制板，用于控制继电器给各功率源输出控制信号；

电压器，用于产生±35V或±65V电压信号；

脉冲变压器，与MOSFET的发射极和集电极电连接，用于对所述电压器产生的电压信号层层放大，使其放大成两路高额电压信号；

监测单元，通过测试电路监测MOSFET的参数信息。

作为本发明的进一步改进，所述测试电路包括：开关S1-开关S4、电阻R1-电阻R3、电压表，开关S1串接电阻R1后连接在MOSFET的集极和发射极之间，MOSFET的集电极和发射极之间连接有依序串接的电阻R3、开关S4、电阻R2、开关S2，MOSFET的集极和发射极之间还连接一串接的开关S3和可调电源。

作为本发明的进一步改进，所述脉冲变压器的一端与被测器件的集电极连接，所述脉变变压器的另一端与被测器件的发射极连接。

作为本发明的进一步改进，所述脉冲变压器放大信号的过程是：通过电流表读取Ib和IC，计算出放大倍数，使电压信号放大成不超过2000V的高额电压信号。

作为本发明的进一步改进，所述继电器为水银继电器。