[发明专利]一种深窄间隙熔化极气体保护焊接导电嘴的制备方法

权利要求书

1.一种深窄间隙熔化极气体保护焊接导电嘴的制备方法，其特征在于，对铜导电嘴进行镀铝处理，然后在电解液中，微弧氧化铜导电嘴的铝层；所述镀铝处理的方式为溶剂法热浸镀铝。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铜导电嘴为实心铜导电嘴；所述铜导电嘴用于焊缝窄间隙坡口，所述窄间隙坡口宽度大于等于4mm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述溶剂法热浸镀铝处理铜导电嘴，包括以下步骤：

A.预处理铜导电嘴：将铜导电嘴表面处理光滑平整，用去离子水洗净；然后，用酒精或丙酮浸泡铜导电嘴，用去离子水洗净；最后，将铜导电嘴浸入酸性溶液中酸洗，迅速用去离子水洗净；

B.溶剂法处理铜导电嘴：将步骤A制得的铜导电嘴放入助镀剂溶液中，随后取出快速烘干；

C.热浸镀铝：将步骤B制得的铜导电嘴，在无氧条件下浸入熔融铝液中，使铜导电嘴表面镀上铝层。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤A中采用酒精或丙酮浸泡铜导电嘴的时间为6-15min，酒精或丙酮浸泡后铜导电嘴的去离子水冲洗时间为0-20s；所述酸洗溶液浓度为10-50g/L，温度为30-50℃，浸泡时间为1-5min。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤B中所述助镀剂溶液中助镀剂的质量百分比为1％-10％，助镀剂为KF、NH₄Cl和ZnCl₂中的一种，助镀剂溶液的起始温度为70-80℃，助镀剂溶液处理时间为1-5min。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤C中所述熔融铝液温度为660-750℃，铜导电嘴热浸镀时间为6-30s。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述电解液包括Na₂SiO₃-9H₂O、KOH、30％H₂O₂、EDTA-2Na、Na₂WO₄·2H₂O、NH₄VO₃、(NaPO₃)₆和水；

所述电解液中Na₂SiO₃-9H₂O的浓度为10-30g/L，KOH的浓度为1-5g/L，30％H₂O₂的浓度为1-12g/L，EDTA-2Na的浓度为0.5-3g/L，Na₂WO₄·2H₂O的浓度为0.5-4g/L，NH₄VO₃的浓度为0.5-4g/L，(NaPO₃)₆的浓度为1-16g/L。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在电解液中微弧氧化铜导电嘴的铝层，采用的是正负脉冲电源。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述正负脉冲电源的电压为400-700V，电流密度为1-6A/dm²，脉冲频率为300-800Hz，占空比为10％-80％。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，微弧氧化时间为10-50min。