[发明专利]纳米材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括相对设置的阴极和阳极的层叠结构，在所述阴极和所述阳极之间设置的量子点发光层，以及在所述阴极和所述量子点发光层之间设置的电子传输层，所述电子传输层的材料包括In₂S₃纳米材料和掺杂在所述In₂S₃纳米材料中的Sn，且掺杂型In₂S₃纳米材料中，In与Sn的摩尔比为1:0.03~0.05。

2.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层的厚度为20nm~60nm。

3.一种如权利要求1或2所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供基板；

将铟盐和锡盐溶于有机溶剂中，制备铟盐和锡盐的混合溶液；在所述混合溶液中加入硫源，在不高于所述有机溶剂的沸点温度条件下混合反应，制备前驱体溶液；

在所述基板表面沉积所述前驱体溶液后，进行退火处理，得到电子传输层。

4.如权利要求3所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述退火处理的步骤在温度为200℃~300℃的条件下进行。

5.如权利要求3或4所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，制备铟盐和锡盐的混合溶液的步骤中，所述混合溶液中的铟盐和锡盐的总浓度为0.2mol/L~1.0mol/L，且铟盐和锡盐的摩尔比为1:0.001~0.05。

6.如权利要求3或4所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，制备前驱体溶液的步骤中，按照S与金属离子的摩尔比为2.8~3.2:2的比例，在所述混合溶液中加入硫源。

7.如权利要求3或4所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，制备前驱体溶液的步骤中，所述有机溶剂为有机醇，所述混合反应在温度为60℃~80℃的条件下进行，且反应时间为2h~4h。

8.如权利要求3或4所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述铟盐选自醋酸铟、硝酸铟、氯化铟、硫酸铟中的至少一种；和/或

所述锡盐选自硝酸锡、氯化锡、硫酸锡、甲烷磺酸锡、乙烷磺酸锡、丙烷磺酸锡中的至少一种；和/或

所述有机溶剂选自异丙醇、乙醇、丙醇、丁醇、戊醇、己醇中的至少一种；和/或

所述硫源选自硫化钠、硫化钾、硫脲、硫化胺中的至少一种。