[发明专利]一种复合材料及其制备方法与量子点发光二极管有效
申请号: | 201910763093.6 | 申请日: | 2019-08-19 |
公开(公告)号: | CN112397658B | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
发明(设计)人: | 何斯纳;吴龙佳;吴劲衡 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;吴志益 |
地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 复合材料 及其 制备 方法 量子 发光二极管 | ||
本发明公开了一种复合材料及其制备方法与量子点发光二极管,其中,所述复合材料的制备方法包括步骤:将金属化合物与苄基吡啶混合在有机溶剂中,使苄基吡啶结合在所述金属化合物表面,制得所述复合材料。本发明制备的复合材料具有高导电性,所述复合材料在作为电子传输层材料时,能够有效提高其电子传输效率,促进电子‑空穴有效地复合,降低激子累积对量子点发光二极管性能的影响,从而提高量子点发光二极管的发光效率。
技术领域
本发明涉及量子点发光二极管领域,尤其涉及一种复合材料及其制备方法与量子点发光二极管。
背景技术
半导体量子点具有量子尺寸效应,人们通过调控量子点的大小可实现所需要的特定波长的发光,例如CdSe量子点的发光波长调谐范围可以从蓝光一直到红光。在传统的无机电致发光器件中电子和空穴分别从阴极和阳极注入,然后在发光层复合形成激子发光。宽禁带半导体中的导带电子可以在高电场下加速获得足够高的能量撞击量子点材料使其发光。
目前,量子点发光二极管(QLED)与OLED及传统LCD相比在色纯度、色饱和度和生产成本上具有明显的优势。然而,QLED仍存在发光效率低下等问题,暂时还无法被大规模商业应用。
造成QLED发光效率低下等问题的主要原因在于QLED器件中电子传输能力不足,电子传输效率无法匹配空穴传输效率。因此,提高QLED器件的电子传输效率对提高整体器件性能有着至关重要的作用。目前,常利用ZnO、ZnS、TiO2等具有量子限域效应、尺寸效应和优越荧光特性的宽禁带半导体材料作为QLED器件的电子传输层材料。然而,由于这些电子传输层材料的导电性较差,导致其电子传输效率较低,从而降低了QLED器件的发光效率。
因此,现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种复合材料及其制备方法与量子点发光二极管,旨在解决现有技术中制备QLED电子传输层的金属化合物电子迁移率低,导电性能低,进而降低了QLED发光效率的问题。
本发明的技术方案如下:
一种复合材料的制备方法,其中,包括步骤:
提供金属化合物,所述金属化合物为n型半导体材料;
将所述金属化合物与苄基吡啶混合在有机溶剂中,使苄基吡啶结合在所述金属化合物表面,制得所述复合材料。
一种复合材料,其中,包括金属化合物以及结合在所述金属化合物表面的苄基吡啶,所述金属化合物为n型半导体材料。
一种量子点发光二极管,包括电子传输层,其中,所述电子传输层的材料为本发明制备方法制备的复合材料,或为本发明所述的复合材料。
有益效果:本发明制备的复合材料具有高导电性,所述复合材料在作为电子传输层材料时,能够有效提高其电子传输效率,促进电子-空穴有效地复合,降低激子累积对量子点发光二极管性能的影响,从而提高量子点发光二极管的发光效率。本发明提供的复合材料制备方法简单、普适性强,有利于大规模生产。
附图说明
图1为本发明一种复合材料的制备方法较佳实施例的流程图。
图2为本发明正装结构的含电子传输层的QLED的结构示意图。
图3为本发明倒装结构的含电子传输层的QLED的结构示意图。
具体实施方式
本发明提供一种复合材料及其制备方法与量子点发光二极管,为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确,以下对本发明进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
本发明的一些实施方式,提供一种复合材料的制备方法,如图1所示,其中,包括步骤:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择