[发明专利]一种抗弯曲单模光纤

权利要求书

1.一种抗弯曲单模光纤，包括有芯层和包层，所述的包层从内至外包括内包层、下陷包层、辅助下陷包层和外包层，其中内包层包绕芯层，下陷包层包绕内包层，辅助下陷包层包绕下陷包层，外包层包绕辅助下陷包层，其特征在于所述的芯层折射率为抛物线分布，分布指数α在2.2～2.5，芯层直径2R1为7.2μm～8.2μm，芯层最高点相对折射率差Δ1max为0.360％～0.450％，所述的内包层直径2R2为16.0μm～19.0μm，相对折射率差Δ2为-0.06％～0.00％，所述的下陷包层直径2R3为29.0μm～34.0μm，相对折射率差Δ3为-0.30％～-0.50％，所述的辅助下陷包层直径2R4为34.0～48.0um，相对折射率差Δ4为-0.14％～-0.08％，所述的外包层为纯二氧化硅外包层。

2.按权利要求1所述的抗弯曲单模光纤，其特征在于所述的芯层为锗和氟共掺的二氧化硅玻璃层，其中氟掺杂浓度不变，锗掺杂浓度随半径增大而递减获得抛物线分布的折射率。

3.按权利要求1或2所述的抗弯曲单模光纤，其特征在于所述的光纤内包层为锗和氟共掺的二氧化硅玻璃层。

4.按权利要求1或2所述的抗弯曲单模光纤，其特征在于所述的下陷包层和辅助下陷包层为掺氟的二氧化硅玻璃层。

5.按权利要求1或2所述的抗弯曲单模光纤，其特征在于所述光纤在1310nm波长处的模场直径为8.2～9.0um。

6.按权利要求1或2所述的抗弯曲单模光纤，其特征在于所述光纤具有小于或等于1260nm的光缆截止波长。

7.按权利要求1或2所述的抗弯曲单模光纤，其特征在于所述光纤具有1300～1324nm的零色散波长。

8.按权利要求1或2所述的抗弯曲单模光纤，其特征在于所述光纤在1550nm波长处，对于围绕10mm弯曲半径绕1圈的弯曲附加损耗小于或等于0.02dB；对于围7.5mm弯曲半径绕1圈的弯曲附加损耗小于或等于0.06dB；对于围绕5.0mm弯曲半径绕1圈的弯曲附加损耗小于或等于0.13dB。

9.按权利要求1或2所述的抗弯曲单模光纤，其特征在于所述光纤在1625nm波长处，对于围绕10mm弯曲半径绕1圈的弯曲附加损耗小于或等于0.05dB；对于围绕7.5mm弯曲半径绕1圈的弯曲附加损耗小于或等于0.17dB；对于围绕5.0mm弯曲半径绕1圈的弯曲附加损耗小于或等于0.30dB。

10.按权利要求1或2所述的抗弯曲单模光纤，其特征在于所述光纤在10mm、7.5mm、5.0mm弯曲半径下绕1圈，1625nm与1550nm波长处附加损耗比值小于等于2.8。