[发明专利]半导体封装方法有效
| 申请号： | 201910760729.1 | 申请日： | 2019-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN112397400B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 周辉星 | 申请（专利权）人： | 矽磐微电子（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 曾莺华 |
| 地址： | 401331 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 方法 | ||
1.一种半导体封装方法，其特征在于，其包括：
在载板上形成粘接层，在所述粘接层上划分多个排布区和空白区，所述空白区设置在所述排布区周围；
在所述空白区设置定位孔，所述定位孔位于所述排布区的外周缘区域；
根据所述定位孔的位置，将待封装芯片贴装于所述排布区内；
形成包封层，所述包封层覆盖在所述粘接层上，且所述包封层的至少一部分被填充于所述定位孔内形成定位凸柱，所述包封层用于包封住所述待封装芯片；
在形成包封层之后，所述方法包括：
剥离所述载板，露出多个所述待封装芯片的正面；
根据所述定位凸柱的位置，在所述待封装芯片的正面形成再布线结构，所述再布线结构用于将所述待封装芯片的正面的焊垫引出。
2.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述排布区为矩形，所述定位孔沿所述排布区的对角线的延伸线设置；或，
所述定位孔对应于所述排布区的四个角设置。
3.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述定位孔的深度小于或等于所述粘接层的厚度。
4.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，形成所述包封层的材料为液态颗粒状塑封材料。
5.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在形成包封层、以及形成定位凸柱时，所采用的工作温度为130℃～175℃。
6.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在形成包封层、以及形成定位凸柱时，通过加压使所述包封层的材料进入所述定位孔。
7.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述定位孔的形状为矩形。
8.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在所述待封装芯片的正面形成再布线结构中，所述再布线结构位于所述待封装芯片与所述定位凸柱之间；
在所述待封装芯片的正面形成再布线结构之后，所述方法包括：
沿所述定位凸柱靠近所述再布线结构的一侧，将整个封装结构切割成多个封装体。
9.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在形成包封层之后，剥离所述载板之前，所述方法包括：
在所述包封层远离所述载板的第一表面贴装支撑层。
10.如权利 要求9所述的半导体封装方法，其特征在于，在所述待封装芯片的正面形成再布线结构之后，所述方法包括：
剥离所述支撑层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
