[发明专利]触控面板及其制作方法在审
申请号: | 201910756500.0 | 申请日: | 2019-08-16 |
公开(公告)号: | CN110600504A | 公开(公告)日: | 2019-12-20 |
发明(设计)人: | 彭斯敏;夏存军 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机发光二极管显示面板 触控层 蚀刻 透明导电溶液 柔韧性 触控面板 固化成膜 银纳米线 封装膜 图案化 显示区 损伤 制作 | ||
本发明公开了一种触控面板及其制作方法。本发明通过银纳米线制成透明导电溶液进行触控层的图案化涂布,然后固化成膜,以减少蚀刻过程,并避免对封装膜层所造成的损伤,且制成的触控层能放置于显示区的任意位置而不影响有机发光二极管显示面板的出光,同时还能极大提高有机发光二极管显示面板的柔韧性。
技术领域
本发明属于显示领域,尤其涉及一种触控面板及其制作方法。
背景技术
传统触控面板(touch panel,TP)制备工艺多采用蚀刻制程进行图案化处理,而蚀刻工艺制程相对繁琐,且容易出现蚀刻不干净、蚀刻液/气体残留等问题。一方面,在封装膜层上制备TP时会有湿制程增加封装失效的风险;另一方面,钛/铝/钛(Ti/Al/Ti)作为触控导电材料,透明性差,制作TP时只能在非像素区域进行布线,不仅位置具有局限性,而且对Ti/Al/Ti的线宽要求严格,工艺制程要求高、难度较大。
因此,有必要开发出一种触控面板来实现高透明性和高柔性。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种触摸面板及其制作方法。本发明通过银纳米线制成透明导电溶液进行触控层的图案化涂布,然后固化成膜,以减少蚀刻过程,并避免对封装膜层所造成的损伤,且制成的触控层能放置于显示区的任意位置而不影响有机发光二极管显示面板的出光,同时还能极大提高有机发光二极管显示面板的柔韧性。
根据本发明的一方面,本发明提供一种触控面板,包括阵列层;像素定义层和阳极层,间隔设于所述阵列层上;有机发光层,设于所述像素定义层的开口区且位于所述阳极层上;封装层,覆盖在所述像素定义层和所述有机发光层上;第一触控层,设于所述封装层上,所述第一触控层的材料包括银纳米线;以及第一绝缘层,设于所述第一触控层上。
进一步地,所述触控面板还包括第二触控层,设于所述第一绝缘层上,所述第一触控层的材料包括银纳米线;以及第二绝缘层,设于所述第二触摸层。
进一步地,所述第一绝缘层的材料包括氮化硅及氧化硅的至少一种。
进一步地,所述第二绝缘层的材料包括氮化硅及氧化硅的至少一种。
进一步地,所述封装层包括沿远离所述阵列层方向依次层叠设置的第一无机层、有机层以及第二无机层,所述第一无机层和所述第二无机层的材料包括氮化硅、碳氮化硅及氧化硅的至少一种,所述有机层的材料包括丙烯、六甲基二硅氧烷、聚丙烯酸酯类、聚碳酸脂类及聚苯乙烯的至少一种。
根据本发明的另一方面,本发明还提供一种触控面板的制作方法,包括在阵列层上形成像素定义层、阳极层及有机发光层;在所述像素定义层及所述有机发光层上形成封装层;以及在所述封装层上依次形成第一触控层和第一绝缘层。
进一步地,在所述封装层上依次形成第一触控层和第一绝缘层的步骤之后,进一步包括在所述第一绝缘层上依次形成第二触控层及第二绝缘层。
进一步地,通过蒸镀工艺以及掩膜板在所述阳极层上沉积所述有机发光层。
进一步地,所述封装层包括沿远离所述阵列层方向依次层叠设置第一无机层、有机层以及第二无机层,其中通过化学气相沉积于所述有机发光层上形成所述第一无机层,通过喷墨打印或化学气相沉积于所述第一无机层上形成所述有机层,通过化学气相沉积于所述有机层上形成所述第二无机层。
进一步地,以喷墨打印工艺搭配透明导电溶液于所述封装层上依次进行涂布、抽干溶剂以及紫外固化操作,形成所述第一触控层;以喷墨打印工艺搭配透明导电溶液于所述第一绝缘层上依次进行涂布、抽干溶剂以及紫外固化操作,形成所述第二触控层。
进一步地,所述透明导电溶液包括银纳米线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的